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AI&IoT

安森美晶閘管浪涌保護(hù)器件

本文主要介紹了一種晶閘管浪涌保護(hù)器件（TSPD），首先分析得出一個簡單的晶閘管的保護(hù)特性是很不對稱的，為具備對稱的過壓保護(hù)，提出必須使用兩個反平行的晶閘管來實(shí)現(xiàn)，即晶閘管浪涌保護(hù)器件（TSPD），接著分析了它的電流-電壓曲線特性，最后舉例說明TSPD有雙向和單向之分。

2008-10-24

晶閘管浪涌保護(hù)器件對稱過壓保護(hù) 安森美

功率器件熱設(shè)計及散熱計算

本文主要探討電子設(shè)備熱失效的問題，通過對功率器件發(fā)熱原理的分析和散熱的計算，得出散熱方式的設(shè)計和散熱器的選擇。

2008-10-24

熱設(shè)計功率器件散熱計算

軟性印刷電路板將走向良性發(fā)展

軟性印刷電路板 (FPC)產(chǎn)業(yè)2005、2006年大幅擴(kuò)產(chǎn)，導(dǎo)致削價競爭嚴(yán)重，經(jīng)過近兩年的調(diào)整加上受上半年整體景氣衰退影響，中國大陸不少小型軟板廠陸續(xù)倒閉，歐美及日系廠商降低軟板比重，整體產(chǎn)業(yè)供給進(jìn)入穩(wěn)定狀況。

2008-10-23

軟性印刷電路板 FPC

PPTC保護(hù)器件及其應(yīng)用

本文主要介紹PPTC保護(hù)器件，首先介紹了它的基本原理，然后著重介紹了它在無線電子產(chǎn)品、電池組、充電器、電源轉(zhuǎn)換器及變壓器中的應(yīng)用。

2008-10-23

PPTC保護(hù)器件應(yīng)用

接地電阻測試儀簡介

本文介紹了接地電阻測試儀，接地電阻測試與發(fā)展。

2008-10-23

接地電阻測試儀鉗式測試工具

在便攜應(yīng)用中采用TVS二極管進(jìn)行ESD保護(hù)

本文介紹了手機(jī)中的ESD保護(hù)部分，ESD在設(shè)計中的選擇，TVS二極管的優(yōu)勢、工作原理和基本參數(shù)選擇，TVS二極管在超高速數(shù)據(jù)線路保護(hù)中的應(yīng)用，PCB設(shè)計時的考慮。

2008-10-23

ESD TVS二極管 PCB設(shè)計

江西首個多晶硅生產(chǎn)項目在樟樹正式投產(chǎn)

10月23日，引進(jìn)世界領(lǐng)先技術(shù)、一期總投資達(dá)5000萬美元，年產(chǎn)多晶硅500噸、三氯氫硅1.6萬噸的江西通能硅材料有限公司多晶硅生產(chǎn)項目在江西樟樹正式投產(chǎn)，這是江西省首個投產(chǎn)的多晶硅生產(chǎn)項目。

2008-10-23

多晶硅三氯氫硅

ESD分析工具——傳輸線路脈沖(TLP)

本文主要介紹了一種研究電流和時域ESD事件下的集成電路技術(shù)和電路行為的方法——傳輸線路脈沖（TLP），首先闡釋了時域反射TLP系統(tǒng)，接著舉例進(jìn)一步解釋TLP的使用，最后指明了TLP的多方面用途。

2008-10-23

ESD測試工具 TLP

SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET

日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，從而擴(kuò)展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，對于采用 PowerPAK SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻以及導(dǎo)通電阻與柵極電荷之乘積。

2008-10-23

SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET

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