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三種光電耦合器檢測(cè)方法
光電耦合器又稱光耦合器或光耦，它屬于較新型的電子產(chǎn)品，現(xiàn)在它廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、音視頻等各種控制電路中。由于光耦內(nèi)部的發(fā)光二極管和光敏三極管只是把電路前后級(jí)的電壓或電流變化，轉(zhuǎn)化為光的變化，二者之間沒(méi)有電氣連接，因此能有效隔斷電路間的電位聯(lián)系，實(shí)現(xiàn)電路之間的可靠隔離。
2012-10-29
光電耦合器 數(shù)字萬(wàn)用表 二極管
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3款低功率16位、20Msps ADC轉(zhuǎn)換器
凌力爾特推出3款低功率16位、20Msps模數(shù)轉(zhuǎn)換器，這些器件在基帶實(shí)現(xiàn)了 84dB 的信噪比 (SNR) 和 99dB 的 SFDR 性能，適合噪聲非常低和線性度非常高的采樣應(yīng)用，例如數(shù)字 X 射線、紅外和醫(yī)療成像、測(cè)厚儀、光譜儀和流式細(xì)胞儀。
2012-10-29
ADC轉(zhuǎn)換器 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 Linear
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集成開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器：中等電源總線的理想選擇
傳統(tǒng)的分布式電源架構(gòu)采用多個(gè)隔離型DC-DC電源模塊將48V總線電壓轉(zhuǎn)換到系統(tǒng)電源電壓，如5V、3.3V和2.5V。然而該配置很難滿足快速響應(yīng)的低壓處理器、DSP、ASIC以及DDR存儲(chǔ)器的負(fù)載要求。這類器件對(duì)電源提出了更加嚴(yán)格的要求：非?？斓乃矐B(tài)響應(yīng)、高效率、低電壓以及緊湊的電路板尺寸。
2012-10-29
DC-DC轉(zhuǎn)換器 電源總線 電源
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瞄準(zhǔn)綠色能源應(yīng)用的ST功率MOSFET
意法半導(dǎo)體推出擁有高可靠性、高能效的新系列功率產(chǎn)品晶體管，可支持科技企業(yè)滿足日益嚴(yán)格的生態(tài)設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)的要求，鎖定太陽(yáng)能微轉(zhuǎn)換器、太陽(yáng)能串行式轉(zhuǎn)換器以及電動(dòng)汽車等綠色能源應(yīng)用。
2012-10-29
能源 MOSFET ST
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可減少總功耗和元件數(shù)目的DOCIS 3.0兼容型RF DAC
ADI公司最近發(fā)布了兩款RF（射頻）DAC AD9129和AD9119，可通過(guò)單個(gè)DAC端口合成整個(gè)下游（發(fā)射）電纜頻譜。單通道14位AD9129和11位AD9119 RF DAC支持高達(dá)2.8 GSPS的數(shù)據(jù)速率，允許有線電視運(yùn)營(yíng)商減少CATV (CMTS)基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備的總系統(tǒng)功耗和元器件數(shù)目，從而簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)并降低總物料成本
2012-10-29
RF DAC ADI DOCIS 3.0
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看故障率了解LED驅(qū)動(dòng)器拓?fù)溆卸嗫煽浚?/span>
平均故障間隔時(shí)間(MTBF)是衡量各個(gè)部件的可靠性的快速方法。如果某一種MOSFET器件的MTBF高于另一種MOSFET器件，則具有較高M(jìn)TBF的MOSFET能夠在現(xiàn)場(chǎng)正常工作而不出現(xiàn)故障的時(shí)間會(huì)更長(zhǎng)。
2012-10-29
LED驅(qū)動(dòng)
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一種利用主機(jī)參與電源供電管理的智能門(mén)禁
入口門(mén)禁系統(tǒng)顧名思義就是對(duì)出入口通道進(jìn)行管制的系統(tǒng)，它是在傳統(tǒng)的門(mén)鎖基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的。傳統(tǒng)的機(jī)械門(mén)鎖僅僅是單純的機(jī)械裝置，無(wú)論結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)多么合理，材料多么堅(jiān)固，人們總能用通過(guò)各種手段把它打開(kāi)。
2012-10-29
電源 智能門(mén)禁 自控機(jī)制
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電磁元件中鄰近效應(yīng)的產(chǎn)生
開(kāi)關(guān)電源電磁元件中，一般不可能沒(méi)有線圈。線圈中的可變磁場(chǎng)感應(yīng)產(chǎn)生了渦流，從而導(dǎo)致了集膚效應(yīng)和鄰近效應(yīng)。集膚效應(yīng)是由繞線的自感產(chǎn)生的渦流引起的，而鄰近效應(yīng)是由繞線的互感產(chǎn)生的渦流引起的。
2012-10-29
電源 鄰近效應(yīng) 電磁元件
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如何減少開(kāi)關(guān)電源紋波和噪聲
SWITCH一般選用雙極性晶體管或者M(jìn)OSFET，不管是哪種，在其導(dǎo)通和截止的時(shí)候，都會(huì)有一個(gè)上升時(shí)間和下降時(shí)間，這個(gè)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生高頻噪聲。我們最終的目的是要把輸出紋波降低到可以忍受的程度，達(dá)到這個(gè)目的最根本的解決方法就是要盡量避免紋波的產(chǎn)生，首先要清楚開(kāi)關(guān)電源紋波的種類和產(chǎn)生原因。
2012-10-29
紋波 噪聲 開(kāi)關(guān)電源
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