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瑞薩推出基于云的開(kāi)發(fā)環(huán)境以加速車用AI軟件的開(kāi)發(fā)與評(píng)估
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子宣布推出一款基于云的全新開(kāi)發(fā)環(huán)境，旨在簡(jiǎn)化車用AI工程師的軟件設(shè)計(jì)流程。新平臺(tái)AI Workbench作為集成虛擬開(kāi)發(fā)環(huán)境，可幫助車用AI工程師在云端實(shí)現(xiàn)車載軟件的設(shè)計(jì)、模擬和調(diào)試。
2023-12-15
瑞薩 開(kāi)發(fā)環(huán)境 車用AI
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MOS非理想性對(duì)VLSI電路可靠性的影響
在快速 VLSI 電路中，晶體管每秒開(kāi)關(guān)數(shù)百萬(wàn)次。在開(kāi)關(guān)過(guò)程中，被稱為“熱載流子”的高能載流子（電子或空穴）很容易注入并捕獲在柵極氧化物中。這種熱載流子注入會(huì)導(dǎo)致柵極氧化物中出現(xiàn)雜質(zhì)，從而改變器件的 I-V 特性。
2023-12-14
MOS VLSI電路
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試一試能快速實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比的電路保護(hù)的eFuse
隨著電子設(shè)備在家庭、辦公室和工業(yè)中的普及，對(duì)高速、緊湊、低成本、可復(fù)位和可調(diào)節(jié)電路保護(hù)器件的需求越來(lái)越重要，以確保用戶安全和最長(zhǎng)的正常設(shè)備運(yùn)行時(shí)間。傳統(tǒng)熔斷方法的熔斷電流不準(zhǔn)確、響應(yīng)時(shí)間慢，而且通常保險(xiǎn)絲更換不方便。
2023-12-14
電路保護(hù) eFuse
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解決角雷達(dá)系統(tǒng)的 3 大電源設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
在過(guò)去十年內(nèi)，雷達(dá)傳感技術(shù)開(kāi)始逐步替代傳統(tǒng)的汽車傳感方式。雷達(dá)傳感技術(shù)具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)，例如可以進(jìn)行遠(yuǎn)距離檢測(cè)，具有更高的分辨率和精度。因此，雷達(dá)傳感技術(shù)被廣泛應(yīng)用于駕駛安全功能、自動(dòng)駕駛和高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)。
2023-12-13
角雷達(dá)系統(tǒng)
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超聲技術(shù)在醫(yī)療領(lǐng)域的發(fā)展趨勢(shì)和應(yīng)用
超聲波（Ultrasound）是指頻率高于兩萬(wàn)赫茲的聲波，在工業(yè)、醫(yī)療等領(lǐng)域均有具體應(yīng)用。隨著醫(yī)療技術(shù)的進(jìn)步和設(shè)備的不斷更新，超聲已經(jīng)成為醫(yī)學(xué)領(lǐng)域不可或缺的應(yīng)用技術(shù)。醫(yī)學(xué)超聲設(shè)備主要利用超聲波對(duì)于人體不同部位反饋產(chǎn)生的信號(hào)或能量屬性，對(duì)于人體的異常狀態(tài)或疾病進(jìn)行診斷或治療。
2023-12-13
超聲技術(shù) 醫(yī)療領(lǐng)域
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意法半導(dǎo)體推出車規(guī)人工智能慣性測(cè)量單元，適合環(huán)境溫度高達(dá)125°C的始終感知應(yīng)用
意法半導(dǎo)體的車規(guī)ASM330LHHXG1慣性測(cè)量單元(IMU)整合傳感器內(nèi)部人工智能與改進(jìn)的低功耗工作模式，并將最高工作溫度擴(kuò)展到125°C，確保傳感器能夠在惡劣環(huán)境中可靠地工作。
2023-12-13
意法半導(dǎo)體 人工智能 慣性測(cè)量單元 感知應(yīng)用
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使用SIL 2器件設(shè)計(jì)功能安全的SIL 3模擬輸出模塊
需要安全完整性等級(jí)(SIL) 3解決方案的制造商，在使用SIL 2器件時(shí)面臨著多項(xiàng)挑戰(zhàn)。隨著工業(yè)功能安全標(biāo)準(zhǔn)IEC 61508第3版的發(fā)布，制造商必須采用新的方法。本文概述了一種能夠克服挑戰(zhàn)以成功實(shí)現(xiàn)SIL 3并加速產(chǎn)品上市的解決方案。
2023-12-12
SIL 2 器件設(shè)計(jì) SIL 3 ADI 模擬輸出模塊
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MOS管G極與S極之間的電阻作用
MOS管具有三個(gè)內(nèi)在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點(diǎn)在MOS管的規(guī)格書(shū)中可以體現(xiàn)（規(guī)格書(shū)常用Ciss、Coss、Crss這三個(gè)參數(shù)代替）。MOS管之所以存在米勒效應(yīng)，以及ＧＳ之間要并電阻，其源頭都在于這三個(gè)寄生電容。
2023-12-11
MOS管 G極 S極
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漫談QLC其三：QLC NAND的主流應(yīng)用
前文所述，老四QLC在爭(zhēng)議中成長(zhǎng)，已進(jìn)入當(dāng)打之年，憑借性能、壽命、容量和價(jià)格極致性價(jià)比的特性，配合主控和固件糾錯(cuò)能力和算法方案的日漸成熟，進(jìn)入到消費(fèi)級(jí)SSD和企業(yè)級(jí)SSD主戰(zhàn)場(chǎng)，如今市面上有多款已量產(chǎn)的消費(fèi)級(jí)和企業(yè)級(jí)QLC SSD，進(jìn)入商用。
2023-12-11
QLC NAND
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