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新一代內(nèi)存DDR5帶來(lái)了哪些改變？
從增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)到人工智能、云計(jì)算再到物聯(lián)網(wǎng)，5G正在燃爆新技術(shù)增長(zhǎng)，同時(shí)也在燃爆它們生成的數(shù)據(jù)量。數(shù)據(jù)量越來(lái)越大，隨之而來(lái)的是存儲(chǔ)和快速訪問(wèn)需求，DDR5之類(lèi)的技術(shù)變得空前重要。數(shù)據(jù)中心需要持續(xù)存儲(chǔ)、傳送和處理這些數(shù)據(jù)，推動(dòng)著高速信令的極限，也給內(nèi)存帶來(lái)了前所未有的測(cè)試挑戰(zhàn)。
2021-05-20
內(nèi)存DDR5
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電感選型殺手锏——電感電流與電感量
在開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)中電感的設(shè)計(jì)給工程師帶來(lái)許多的挑戰(zhàn)，工程師不僅要選擇電感值，還要考慮電感可承受的電流、繞線電阻、機(jī)械尺寸等等。本文解釋了電感上的DC電流效應(yīng)，為選擇合適的電感提供必要的信息。
2021-05-19
電感 電感量
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如何使用有源米勒鉗位電路來(lái)減輕寄生效應(yīng)
本文主要介紹了由于米勒電容器引起的寄生導(dǎo)通效應(yīng)，以及如何使用有源米勒鉗位電路來(lái)減輕寄生效應(yīng)。在操作IGBT時(shí)面臨的常見(jiàn)問(wèn)題之一是由于米勒電容器而導(dǎo)致的寄生導(dǎo)通。在0至+15 V型柵極驅(qū)動(dòng)器（單電源驅(qū)動(dòng)器）中，這種影響是明顯的。
2021-05-19
有源米勒鉗位電路 寄生效應(yīng)
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巧用采樣和保持電路，確保ADC精度
本文介紹了如何使用ADC的采樣和保持 (S&H) 或跟蹤和保持 (T&H) 電路來(lái)防止幅度偏差，通過(guò)來(lái)自Texas Instruments、Maxim Integrated和Analog Devices的針對(duì)不同應(yīng)用、具有不同特性的器件實(shí)例，討論了S&H IC的特性和選擇標(biāo)準(zhǔn)，并介紹了帶有集成S&H的ADC。
2021-05-18
采樣 保持電路 ADC
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深圳物聯(lián)網(wǎng)展-IOTE 國(guó)際物聯(lián)網(wǎng)展
IOTE 2021第十六屆國(guó)際物聯(lián)網(wǎng)展·深圳站，是一個(gè)關(guān)于物聯(lián)網(wǎng)完整產(chǎn)業(yè)鏈，覆蓋物聯(lián)網(wǎng)感知層、網(wǎng)絡(luò)層、運(yùn)算與平臺(tái)層、應(yīng)用層，涉及RFID（無(wú)線射頻識(shí)別）技術(shù)、傳感網(wǎng)技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)通信技術(shù)、金融消費(fèi)移動(dòng)支付技術(shù)、中間件的精確控制技術(shù)、大數(shù)據(jù)處理、AIoT、云計(jì)算、邊緣計(jì)算、實(shí)時(shí)定位技術(shù)等物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)...
2021-05-18
深圳物聯(lián)網(wǎng)展
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利用單片機(jī)定時(shí)器實(shí)現(xiàn)信號(hào)采樣和PWM控制
PWM控制方式廣泛應(yīng)用于各種控制系統(tǒng)中，但對(duì)脈沖寬度的調(diào)節(jié)一般采用硬件來(lái)實(shí)現(xiàn)。如使用PWM控制器或在系統(tǒng)中增加PWM電路[1]等，則本錢(qián)高、響應(yīng)速度慢，而且PWM控制器與系統(tǒng)之間存在兼容題目。另外，控制系統(tǒng)中的信號(hào)采樣通常是由A/D轉(zhuǎn)換器來(lái)完成，因此檢測(cè)精度要求較高時(shí)，調(diào)理電路復(fù)雜，而且因A/D的...
2021-05-18
單片機(jī)定時(shí)器 信號(hào)采樣 PWM控制
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倒置降壓器怎樣解決交流電源非隔離反激器的拓?fù)溥x擇？
在決定拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)時(shí)，反激通常是任何低功耗離線轉(zhuǎn)換器的首選。但是，如果不需要隔離，這可能不是最好的方法。假設(shè)終端設(shè)備是一個(gè)智能燈開(kāi)關(guān)，用戶可以通過(guò)智能手機(jī)的應(yīng)用進(jìn)行控制。在這種情況下，用戶在操作過(guò)程中不會(huì)接觸到暴露的電壓，因此不需要隔離。
2021-05-17
倒置降壓器 交流電源 非隔離反激器
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晶體管篇之負(fù)載開(kāi)關(guān)
負(fù)載開(kāi)關(guān)Q1導(dǎo)通瞬間會(huì)暫時(shí)流過(guò)比穩(wěn)態(tài)電流大得多的電流。輸出側(cè)的負(fù)載容量CL的電荷接近零時(shí)，向輸出VO施加電壓的瞬間會(huì)流過(guò)大充電電流。
2021-05-17
晶體管 負(fù)載開(kāi)關(guān)
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采用SiC FET盡可能提升圖騰柱PFC級(jí)的能效
圖騰柱PFC電路能顯著改善交流輸入轉(zhuǎn)換器的效率，但是主流半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)技術(shù)的局限性使其不能發(fā)揮全部潛力。不過(guò)，SiC FET能突破這些局限性。本文介紹了如何在數(shù)千瓦電壓下實(shí)現(xiàn)99.3%以上的效率。
2021-05-17
SiC FET 圖騰柱PFC級(jí)
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