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原創(chuàng)深挖：各種開關(guān)電源功率MOSFET損壞的原因和形態(tài)
工程師們將損壞的功率MOSFET送到半導(dǎo)體原廠做失效分析后，得到的結(jié)論通常是過電性應(yīng)力EOS，卻無法判斷是什么原因?qū)е翸OSFET的損壞。功率MOSFET損壞有哪些原因和形態(tài)？一牛人拍下了功率MOSFET不同損壞形態(tài)的失效分析圖片，結(jié)合功率MOSFET管的工作特性，系統(tǒng)的分析開關(guān)電源功率MOSFET各種損壞模式，還...
2013-08-21
開關(guān)電源 功率MOSFET MOSFET MOSFET損壞
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具100%占空比操作能力的三輸出
36V 降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器LT3514凌力爾特推出具100% 占空比操作能力的 36V 輸入電壓、三通道、2A + 1A + 1A (IOUT) 降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器LT3514。同時，它具備恒定頻率、堅固的抗短路性能等優(yōu)勢，非常適用于需要多個輸出的汽車和工業(yè)應(yīng)用。
2013-08-16
凌力爾特 降壓型 開關(guān)穩(wěn)壓器 三輸出
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【拆解】變頻器IGBT模塊拆解學(xué)習(xí)
都知道IGBT是由BJT和MOS組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。筆者此次從變頻器中拆得一個IGBT模塊，估計看過的人不多，特拿來與大家分享學(xué)習(xí)。
2013-08-15
變頻器 IGBT 拆解
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ST新壓力傳感器技術(shù)，實現(xiàn)絕對壓力測量精度
意法半導(dǎo)體(ST)發(fā)布新的壓力傳感器技術(shù)，具有全壓塑封裝內(nèi)置獨立式傳感器單元，提高了測量精度(± 0.2 mbar)，實現(xiàn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的絕對壓力測量精度。該新技術(shù)特別適合各種消費電子、汽車和工業(yè)應(yīng)用。
2013-08-12
ST 壓力傳感器 壓力測量
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高壓測試穩(wěn)如泰山：艾德克斯新一代直流電源
在LED、電池，DC-DC轉(zhuǎn)換器等行業(yè)，高電壓是對電源的基本需求，如何在與實際需求最貼近的有限的功率范圍內(nèi)將電壓做到最大？如何在保證高壓電源穩(wěn)定性的同時讓功能更加多樣？為滿足工程師對于高壓測試儀器的迫切需求，艾德克斯ITECH推出了電壓高達600V的直流電源系列產(chǎn)品。
2013-08-07
艾德克斯 高壓測試 測試
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Mouser推出全新Freescale Kinetis E系列微控制器
Mouser已推出全新的Freescale Kinetis E系列微控制器，該產(chǎn)品具有32位48 MHz ARM? Cortex-M0+內(nèi)核、5V工作電壓、可耐受5V電壓的I/O、ESD保護等特性?？蓱?yīng)用于白色家電和工業(yè)機械，以及通常在高噪音環(huán)境下運行的設(shè)備。
2013-08-07
Mouser Freescale Kinetis E系列 微控制器
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如何針對應(yīng)用選擇合適的MOSFET驅(qū)動器？
隨著MOSFET技術(shù)和硅工藝種類增多，選擇一款合適的MOSFET驅(qū)動器成為一個具有挑戰(zhàn)性的過程。而針對應(yīng)用選擇正確的MOSFET驅(qū)動器，需要對與MOSFET柵極電荷和工作頻率相關(guān)的功耗有透徹的理解。學(xué)習(xí)了本文，相信一定能夠為你的設(shè)計選擇最合適的MOSFET驅(qū)動器。
2013-08-06
MOSFET 驅(qū)動器 MOSFET驅(qū)動器 驅(qū)動
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浩亭具備成本效率的多用途RFID讀取器，讀取距離達2米
Ha-VIS RF-R200是浩亭廣泛的自動識別解決方案系列中最新的一款RFID讀取器。這款RFID讀取器是一款中程距離讀取器，它經(jīng)過優(yōu)化后讀取距離最遠(yuǎn)為2米。其以非常吸引人的價格提供各種優(yōu)越性能。
2013-08-02
RFID讀取器 RFID 浩亭
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浩亭新款外殼使Han B工業(yè)連接器防護等級達IP 67
浩亭的標(biāo)準(zhǔn)外殼能夠給使用者帶來對抗外界物理影響的最佳保護。其Han B系列外殼產(chǎn)品在配插鎖閉時可以保證IP 65的防護等級。如今，新款穿墻安裝式外殼超越了這一水平，達到了IP 67的更高防護等級。
2013-08-02
浩亭 Han B工業(yè)連接器 工業(yè)連接器
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