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Littelfuse為保護(hù)高能電路推出三款壓敏電阻
近日，Littelfuse推出用于保護(hù)高能電路的TCMOV34S、SMOV34和SMOV25系列壓敏電阻，新型壓敏電阻具備最大40kA的浪涌承受能力，該產(chǎn)品專為保護(hù)高能電路而設(shè)計(jì)，可抵御短路狀況和異常過壓。
2012-09-21
Littelfuse 高能電路 壓敏電阻
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光電傳感器市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)預(yù)測(cè)
光電傳感器市場(chǎng)在過去的三年里經(jīng)歷了猶如過山車般的跌宕起伏。如今該市場(chǎng)回到了類似之前平穩(wěn)的發(fā)展?fàn)顟B(tài)。雖然光電傳感器市場(chǎng)極其依賴的投資環(huán)境近來已經(jīng)變得愈發(fā)惡劣，但ARC依然對(duì)該市場(chǎng)在未來幾年的發(fā)展持樂觀態(tài)度。
2012-09-18
光電傳感器 ARC
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意法半導(dǎo)體推出內(nèi)置9軸MEMS傳感器的STM32 F3開發(fā)套件
STM32 F3開發(fā)套件內(nèi)置陀螺儀和電子羅盤(1)—9個(gè)自由度(DOF)(2) MEMS傳感器，結(jié)合新系列微控制器的先進(jìn)信號(hào)處理和計(jì)算功能，可實(shí)現(xiàn)具有價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力的傳感器融合應(yīng)用，傳感器融合應(yīng)用結(jié)合強(qiáng)大的計(jì)算性能，讓設(shè)計(jì)人員能夠在移動(dòng)游戲、增強(qiáng)實(shí)境、光學(xué)圖像防抖功能、便攜式導(dǎo)航系統(tǒng)、機(jī)器人和工業(yè)自動(dòng)化系...
2012-09-17
意法半導(dǎo)體 傳感器
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教你如何選購(gòu)溫濕度傳感器
選購(gòu)溫濕度傳感器時(shí)需要注意測(cè)量范圍、測(cè)量精度的選擇；同時(shí)還要考慮到時(shí)漂和溫漂等關(guān)鍵因素。另外，濕度傳感器是非密封性的，為保護(hù)測(cè)量的準(zhǔn)確度和穩(wěn)定性，應(yīng)盡量避免在酸性、堿性及含有機(jī)溶劑的氣氛中使用。如何選購(gòu)請(qǐng)看本文詳細(xì)解析。
2012-09-17
傳感器
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壓力傳感器工作原理你知道多少？
我們知道敏感元件是能夠靈敏地感受被測(cè)變量并作出響應(yīng)的元件。壓力傳感器就是其中一種，但是傳感器不同于一般的敏感元件它的輸出響應(yīng)還必須是易于傳送的物理量，本文介紹壓力傳感器工作原理。
2012-09-17
傳感器
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CHINASSL2012，引領(lǐng)LED行業(yè)先趨
如果說技術(shù)是一個(gè)產(chǎn)業(yè)的引擎，那市場(chǎng)則是這個(gè)產(chǎn)業(yè)的方向盤。反觀2011-2012年的LED產(chǎn)業(yè)，正在經(jīng)歷著技術(shù)與市場(chǎng)的新一輪整合。作為全球LED產(chǎn)業(yè)頂級(jí)盛會(huì)——第九屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇暨展覽會(huì)（CHINASSL2012）將直擊產(chǎn)業(yè)博弈焦點(diǎn)，解讀最新趨勢(shì)動(dòng)態(tài)，展示前沿技術(shù)成果與設(shè)計(jì)精品。
2012-09-17
CHINASSL2012 引領(lǐng)LED行業(yè)先趨
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八大規(guī)則降低RF電路設(shè)計(jì)中的寄生信號(hào)
RF電路最重要的設(shè)計(jì)是隔離不該有的信號(hào)，保留該有的信號(hào)。音調(diào)、信號(hào)、時(shí)鐘及其在電路板上任何地方生成的所有諧波都可能作為寄生信號(hào)混入輸出信號(hào)，甚至可能會(huì)進(jìn)入混頻器和轉(zhuǎn)換器進(jìn)而被轉(zhuǎn)換、反映并混淆為寄生信號(hào)，RF布局要想降低寄生信號(hào)，就要了解降低寄生信號(hào)的規(guī)則。
2012-09-17
EMI EMC
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解決EMC問題的三個(gè)重要規(guī)律
為避免或消除產(chǎn)品EMC問題，在新產(chǎn)品研發(fā)階段就進(jìn)行EMC設(shè)計(jì)，提前考慮EMC問題，可以節(jié)省費(fèi)用提高效率。本文提供EMC問題的三個(gè)重要規(guī)律，有助于避免和消除EMC問題。
2012-09-15
EMI EMC
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導(dǎo)通損耗降低20%的新一代1200V IGBT
Microsemi擴(kuò)展其NPT IGBT產(chǎn)品系列，發(fā)布三款1200V IGBT新產(chǎn)品。相比競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品，柵極電荷(Qg)顯著減少，具有更快的開關(guān)性能，總體開關(guān)和導(dǎo)通損耗顯著降低20%或更多。些IGBT器件設(shè)計(jì)用于大功率的高性能開關(guān)模式產(chǎn)品，比如電焊機(jī)、太陽能逆變器和不間斷開關(guān)電源。
2012-09-13
IGBT 半導(dǎo)體 美高森美
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級(jí)
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