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陶瓷氣體放電管選型指南
陶瓷氣體放電管選型指南
2012-05-24
陶瓷氣體放電管 選型指南
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瞬態(tài)電壓抑制二極管選型指南
TVS 是一種快速抑制浪涌過電壓的瞬態(tài)電壓抑制二極管保護元件,它也被稱作TVP 或ABD。它能以皮秒級響應速度將浪涌過電壓限制箝位到一個安全的電壓范圍內(nèi),以保護后面電路不受損壞。
2012-05-24
瞬態(tài)電壓抑制二極管 TVS
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HOMSEMI MOSFET基于100KHz逆變焊機的應用評測
早期的逆變焊機中功率開關(guān)器件采用晶閘管,逆變頻率為2--3KHz,變壓器鐵心采用硅鋼片,重量較大。本逆變焊機采用成啟半導體大功率MOSFET HS20N50,逆變頻率在100KHz以上,可以對熔滴過渡實現(xiàn)精細控制。
2012-05-23
逆變焊機 成啟半導體 MOSFET HS20N50 HOMSEMI
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Lumex發(fā)布最新的QuasarBrite高溫表面組裝段數(shù)字LED顯示器技術(shù)
PALATINE, IL –Lumex 在全球發(fā)行其最新的 QuasarBrite 高溫表面組裝 (SMD) 七段數(shù)字 LED 顯示器 技術(shù),該技術(shù)能夠提供在市場主導的溫度范圍內(nèi)(可高達105°C)的明亮清晰的顯示性能。作為能夠與無鉛錫焊相容的表面組裝技術(shù),該技術(shù)不需要金屬化孔顯示器要求的額外焊接步驟,節(jié)省時間并減少要求的體力...
2012-05-23
LED 顯示器 監(jiān)護儀 顯示器
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君耀電子半導體放電管選型指南
TSS 晶閘體半導體放電管是一種并聯(lián)于線路中的開關(guān)型過壓保護器件,平時處于開路狀態(tài),一當有異常的過電壓脈沖,達到其擊穿電壓時,會迅速的由高阻狀態(tài)變?yōu)榈妥锠顟B(tài),會把瞬間的浪涌電流旁路而泄放掉,由于負阻的效應,而此時二端的電壓小于4V 以下,一當異常電壓消失,立即恢復到高阻狀態(tài)。
2012-05-23
君耀電子 半導體 放電管
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本土分銷商轉(zhuǎn)型應選擇適合的渠道模式
近年來,一方面國際分銷商在國內(nèi)業(yè)務的滲透給本土分銷商帶來了直接競爭;另一方面,受行業(yè)分銷利潤趨薄、成本的上升,讓本土分銷商不得不調(diào)整業(yè)務結(jié)構(gòu)和方向,向增值服務“轉(zhuǎn)型”達到既為保證客戶滿意、下游渠道商滿意,還要保證公司的利潤空間。
2012-05-23
分銷商 渠道模式
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Green Star Green World 中電華星
— 致力于為新能源客戶提供最具競爭力的測試系統(tǒng)解決方案長期以來,中電華星一直致力于為電源客戶提供最具競爭力的測試系統(tǒng)解決方案。在與電力電子及相關(guān)行業(yè)長期合作中,針對新能源行業(yè)深入調(diào)查和研究,現(xiàn)將各類新能源產(chǎn)品測試方案提供給大家,給力新能源產(chǎn)業(yè),共建綠地球。
2012-05-22
中電華星 新能源 測試系統(tǒng)
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Microsemi新款1200V非穿通型IGBT開關(guān)和導通損耗降低20%
美高森美 (Microsemi) 推出新一代1200V非穿通型IGBT系列中的首款產(chǎn)品。新的IGBT系列采用尖端Power MOS 8技術(shù),與競爭解決方案相比,總體開關(guān)和導通損耗顯著降低20%或更多。這些IGBT器件瞄準電焊機、太陽能逆變器和不間斷與開關(guān)電源等應用。
2012-05-21
IGBT Power MOS 8 Microsemi
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美國Molycorp CEO:通過“鳳凰計劃”逐步增加美國稀土產(chǎn)量
稀土在生產(chǎn)高科技產(chǎn)品、可再生能源發(fā)電裝置及電動汽車(EV)等時不可或缺,其關(guān)注度正不斷提高。有關(guān)中國稀土產(chǎn)量占全球一半以上、過度依賴中國存在風險之類討論一直不斷。 隨著稀土價格不斷上漲,中國以外其他產(chǎn)地的稀土開發(fā)越來越活躍。關(guān)于現(xiàn)狀及今后的預測,中國外全球最大稀土開采商美國Molyco...
2012-05-21
稀土 EV Molycorp
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