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透視中國(guó)電子元件市場(chǎng)2010新動(dòng)向
電子信息技術(shù)是當(dāng)今發(fā)展最快，滲透性最強(qiáng)、應(yīng)用最廣的關(guān)鍵技術(shù)，是推動(dòng)經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)和科技應(yīng)用進(jìn)程的重要引擎。在電子信息技術(shù)發(fā)展中，半導(dǎo)體技術(shù)起了至關(guān)作用。它是一個(gè)技術(shù)密集、投資密集和高精尖設(shè)備密集產(chǎn)業(yè)。半導(dǎo)體科技不僅制造了功能強(qiáng)大的IC和各式分立器件，對(duì)電子信息技術(shù)發(fā)展起到不可估量的推...
2010-01-22
透視 電子元件 市場(chǎng) 新動(dòng)向 SZ2010 CEF 中國(guó)電子展
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半導(dǎo)體業(yè)銷售回升中 電子元器件蘊(yùn)藏機(jī)會(huì)
全球半導(dǎo)體業(yè)2010年的銷售額有望達(dá)到約2550億美元,將增長(zhǎng)10.2%，從而結(jié)束2008年和2009年連續(xù)兩年的持續(xù)下滑，這預(yù)示著半導(dǎo)體業(yè)將逐漸擺脫金融危機(jī)的影響。美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)預(yù)測(cè)，2010年全球半導(dǎo)體業(yè)的銷售額將增長(zhǎng)10.2%；世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)和美國(guó)高德納公司對(duì)增長(zhǎng)率的預(yù)測(cè)分別為12.2%和12.8%。
2010-01-22
半導(dǎo)體 回升 元器件 機(jī)會(huì)
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晶圓廠產(chǎn)能不足 MOSFET供貨警報(bào)響
臺(tái)晶圓代工廠產(chǎn)能供應(yīng)失序情形，近期已逐漸從8寸晶圓向下蔓延到5寸及6寸晶圓，包括LCD驅(qū)動(dòng)IC及電源管理IC紛向下?lián)寠Z5寸、6寸晶圓產(chǎn)能動(dòng)作，讓許久未傳出缺貨的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)亦出現(xiàn)客戶一直緊急追單，MOSFET市場(chǎng)明顯供不應(yīng)求現(xiàn)象，對(duì)臺(tái)系相關(guān)供應(yīng)商如富鼎、尼克森及茂達(dá)2010年...
2010-01-21
晶圓 產(chǎn)能 MOSFET 供貨 警報(bào)
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電子電信：新興產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)空間更廣闊
2009年12月以來，受益于出口預(yù)期的好轉(zhuǎn)和國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策的扶持，信息設(shè)備、信息服務(wù)、電子元器件行業(yè)的表現(xiàn)明顯強(qiáng)于大市。我們認(rèn)為，這一方面體現(xiàn)出市場(chǎng)對(duì)新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展的高度關(guān)注，另一面也是當(dāng)前市場(chǎng)風(fēng)格轉(zhuǎn)換的內(nèi)在體現(xiàn)。隨著2010年相關(guān)政策的推進(jìn)，電子電信行業(yè)有望長(zhǎng)期保持強(qiáng)于A股的走勢(shì)。
2010-01-21
電子電信 新興產(chǎn)業(yè) 成長(zhǎng)空間 廣闊
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2009年全球半導(dǎo)體行業(yè)收入同比降11.4%
根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司Gartner的估計(jì)，2009年全球半導(dǎo)體行業(yè)總收入為2.26億美元，同比下滑11.4%，這將是該行業(yè)25年來經(jīng)歷的第六次收入下滑。 Gartner分析稱，個(gè)人電腦市場(chǎng)是最先反彈的市場(chǎng)，隨后是手機(jī)、汽車等市場(chǎng)開始反彈。
2010-01-21
全球 半導(dǎo)體行業(yè) 收入 下降
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新系列MEMS加速計(jì)突破尺寸和功耗極限
意法半導(dǎo)體在加速計(jì)設(shè)計(jì)方面取得了最新進(jìn)步，將傳感器尺寸縮小到2 x 2mm，100Hz采樣率時(shí)的功耗降到10微安以下，這數(shù)值已經(jīng)比目前其他產(chǎn)品器件低一個(gè)量級(jí)，，功耗還能再降到幾微安，以配合更低的數(shù)據(jù)速率。由于這一重大成果，空間和功耗受限的便攜設(shè)備得以加快采用動(dòng)作控制型技術(shù)應(yīng)用，性能和功能不...
2010-01-21
MEMS 加速計(jì) 尺寸 功耗極限
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TI推出降低上表面熱阻的功率MOSFET
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個(gè)通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對(duì)其它標(biāo)準(zhǔn)尺寸封裝的產(chǎn)品，DualCool NexFET 功率MOSFET有助于縮小終端設(shè)備的尺寸，同時(shí)還可將MOSFET允許的電流提高 50%，并改進(jìn)散熱管理。
2010-01-21
TI MOSFET DualCool NexFET 器件
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電動(dòng)工具F系列(帶扭矩控制器的充電式螺絲刀)
具有能夠提高作業(yè)效率的強(qiáng)大的擰緊力 能提高作業(yè)效率的強(qiáng)大的擰緊力和簡(jiǎn)潔的結(jié)構(gòu) F系列
2010-01-20
電動(dòng)工具 扭矩控制器 充電式 螺絲刀
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中國(guó)集成電路封測(cè)產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟成立
為加快國(guó)家科技重大專項(xiàng)“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”的組織實(shí)施，探索創(chuàng)新機(jī)制，引導(dǎo)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，“中國(guó)集成電路封測(cè)產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟”2009年12月30日在北京成立。這是16個(gè)國(guó)家科技重大專項(xiàng)中成立的首個(gè)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟。
2010-01-20
集成電路 封測(cè) 產(chǎn)業(yè)鏈 創(chuàng)新聯(lián)盟
- 差分振蕩器設(shè)計(jì)的進(jìn)階之路：性能瓶頸突破秘籍
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