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硅基氮化鎵在射頻市場的應(yīng)用日益廣泛
氮化鎵技術(shù)將繼續(xù)在國防和電信市場提供高性能和高效率。射頻應(yīng)用目前主要是碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）器件。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會威脅到碳化硅基氮化鎵的主導(dǎo)地位，但它的出現(xiàn)將影響供應(yīng)鏈，并可能影響未來的電信技術(shù)。
2023-09-21
硅基氮化鎵 射頻市場
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LED路燈電源設(shè)計
LED 比傳統(tǒng)燈泡和燈更高效。它們無需預(yù)熱時間即可達(dá)到亮度，這使得它們比熒光燈更好。這些裝置可以組裝并用于照明燈具。憑借提到的所有這些功能，LED 非常適合用于街道照明應(yīng)用。
2023-09-21
LED路燈 電源設(shè)計
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低壓電機(jī)驅(qū)動設(shè)計
本應(yīng)用筆記介紹了采用表面貼裝封裝的 n 通道雙 MOSFET 的低壓電機(jī)驅(qū)動設(shè)計。它描述了使用不同電壓應(yīng)用的設(shè)計，以及自適應(yīng) MOSFET 柵極驅(qū)動器，這是驅(qū)動雙 n 溝道半橋的第三種方法。
2023-09-21
低壓 電機(jī)驅(qū)動
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使用電壓／電流模擬光耦合器進(jìn)行隔離
隔離電壓/電流感測在工業(yè)應(yīng)用中具有多種用途，如圖 1 所示。它可用于檢測電源浪涌時的過壓或斷電時的欠流。此外，它還提供信號隔離以及電噪聲和瞬態(tài)干擾的抑制，防止系統(tǒng)故障。ACPL-K370/K376 是具有內(nèi)置電壓/電流閾值檢測電路的模擬光耦合器器件。該器件具有檢測精度高、交流或直流電壓檢測范圍寬...
2023-09-21
電壓模擬光耦合器 電流模擬光耦合器 隔離
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驅(qū)動電源模塊密度的關(guān)鍵因素
依靠簡單的經(jīng)驗法則來評估電源模塊密度的關(guān)鍵因素是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的，例如電源解決方案開關(guān)頻率與整體尺寸和密度成反比；與驅(qū)動系統(tǒng)密度的負(fù)載相比，功率密度往往以不同的速率變化；因此合理的做法是將子系統(tǒng)和相關(guān)器件分開分析。先進(jìn)的封裝和3D電源封裝? (3DPP?) 技術(shù)可讓電源模塊密度匹配其服務(wù)的相應(yīng)...
2023-09-21
電源模塊 密度 關(guān)鍵因素
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使用電荷泵驅(qū)動外部負(fù)載
CS5521/23、CS5522/24/28 和 CS5525/26 系列 A/D 轉(zhuǎn)換器包含斬波穩(wěn)定儀表放大器，用于測量低電平直流信號（±100 mV 或更?。?。該放大器設(shè)計用于產(chǎn)生非常低的輸入采樣電流（在 -40 至 +85?C 范圍內(nèi)，ICVF < 300 pA）。當(dāng)使用高阻抗電路進(jìn)行輸入保護(hù)時，低輸入電流可限度地減少熱電偶測量中可能出現(xiàn)的...
2023-09-20
電荷泵 外部負(fù)載
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通信 工業(yè)和嵌入式光通信技術(shù)進(jìn)步背后的推動力
隨著工業(yè)和嵌入式計算對通信距離、低功耗和小型配置需求的提高，對通信帶寬也提出了更高的要求。而FPGA等特定使能技術(shù)以及收發(fā)器、連接器和接收器的進(jìn)步也為光通信技術(shù)的快速發(fā)展提供了支持。
2023-09-20
通信 工業(yè) 嵌入式 光通信技術(shù)
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交流特性測量方法 – 第 3 部分
關(guān)于交流特性測量方法討論的一部分描述了短路和過載電流特性、遠(yuǎn)程開/關(guān)控制和隔離電壓。它還涵蓋了 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的隔離電阻和電容、動態(tài)負(fù)載響應(yīng)以及輸出紋波或噪聲。
2023-09-20
交流特性 測量方法
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汽車以太網(wǎng)一致性之 MDI 模式轉(zhuǎn)換損耗測試
隨著汽車安全性和娛樂性的要求不斷提高，車載網(wǎng)絡(luò) (IVN) 的數(shù)據(jù)速率要求也在不斷提高。高級駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 和駕駛艙信息娛樂系統(tǒng)等系統(tǒng)變得越來越快，越來越復(fù)雜。制造商正在轉(zhuǎn)向車載網(wǎng)絡(luò)的研究，用以支持 ADAS 和駕駛艙信息娛樂系統(tǒng)中設(shè)備的數(shù)據(jù)速率傳輸。為了保障汽車以太網(wǎng)環(huán)境下，設(shè)備能夠...
2023-09-20
汽車 以太網(wǎng) MDI 模式轉(zhuǎn)換 損耗測試
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