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集成穩(wěn)壓器消除了對(duì)分立元件的需求
集成電壓調(diào)節(jié)器 (IVR) 是電源管理芯片中的一個(gè)新類(lèi)別，它聲稱(chēng)已經(jīng)緩解了功率密度和能源效率之間長(zhǎng)達(dá)數(shù)年的平衡問(wèn)題。Empower Semiconductor由三位模擬資深人士于 2014 年共同創(chuàng)立，該公司創(chuàng)建了 5 × 5 毫米的封裝，可以消除或集成分立元件。
2023-08-21
集成穩(wěn)壓器 分立元件
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小功率無(wú)變壓器電源設(shè)計(jì)
事實(shí)上，如果負(fù)載電流只有幾十毫安，則可以將輸入交流電壓轉(zhuǎn)換為直流電壓，而無(wú)需使用大型、昂貴且笨重的變壓器。不帶變壓器的替代方案也更便宜、更輕并且占地面積更小。無(wú)變壓器電源根據(jù)電路類(lèi)型分為兩類(lèi)：電容式和電阻式。現(xiàn)在我們將了解每種類(lèi)型電路的特性、如何評(píng)估所涉及電子元件的功率以及應(yīng)...
2023-08-21
變壓器 電源設(shè)計(jì)
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BLDC 電機(jī)控制設(shè)計(jì)
在無(wú)刷電機(jī)中，電流反轉(zhuǎn)是通過(guò)微控制器控制的一組功率晶體管（通常是 IGBT）以電子方式獲得的。驅(qū)動(dòng)它們的主要問(wèn)題是了解電機(jī)的準(zhǔn)確位置；只有這樣控制器才能確定驅(qū)動(dòng)哪一相。轉(zhuǎn)子的位置通常使用霍爾效應(yīng)傳感器或光學(xué)傳感器獲得。在效率方面，由于摩擦減少，無(wú)刷電機(jī)比同等交流電機(jī)產(chǎn)生的熱量少得多。
2023-08-17
BLDC 電機(jī)控制
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如何使用LM317作為開(kāi)關(guān)來(lái)打開(kāi)和關(guān)閉電源負(fù)載
今天我們將學(xué)習(xí)如何使用LM317作為開(kāi)關(guān)來(lái)打開(kāi)和關(guān)閉電源負(fù)載。它仍然具有相同的保護(hù)性能。即使頻率更高。這一切都始于Dave在22Hz時(shí)鐘脈沖發(fā)生器電路中問(wèn)道：“這是否適用于22vdc電池組，以在60Hz下提供60VAC電壓？
2023-08-17
LM317 電源負(fù)載
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DSP 技巧：直流消除
當(dāng)我們使用模數(shù) (A/D) 轉(zhuǎn)換器對(duì)模擬信號(hào)進(jìn)行數(shù)字化時(shí)，轉(zhuǎn)換器的輸出通常包含一些小的 DC 偏差：即數(shù)字化時(shí)間樣本的平均值不為零。該 DC 偏差可能來(lái)自原始信號(hào)模擬信號(hào)或 A/D 轉(zhuǎn)換器內(nèi)的缺陷。
2023-08-15
DSP 直流消除
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如何在高速設(shè)計(jì)中通過(guò)規(guī)則管理來(lái)控制阻抗
走線阻抗控制主要在于確保走線的尺寸大小合適。如果獨(dú)立考慮一條走線，其阻抗值是很明確的。但是，當(dāng)它靠近另一條走線或?qū)w時(shí)，由于意外耦合作用，該走線的阻抗將與最初的設(shè)計(jì)值不同。這個(gè)問(wèn)題非常棘手，會(huì)導(dǎo)致沿著互連的阻抗變化不定，而傳輸線和接收器之間的極端阻抗失配將導(dǎo)致信號(hào)反射。
2023-08-14
高速設(shè)計(jì) 阻抗 接收器
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一文詳解場(chǎng)效應(yīng)管電流源
FET電流源是一種有源電路，它使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管為電路提供恒定量的電流。但是，為什么還要恒定電流呢？恒流源和吸電流（吸電流與電流源相反）是一種非常簡(jiǎn)單的方法，只需使用單個(gè)FET和電阻即可形成具有恒定電流值的偏置電路或基準(zhǔn)電壓源，例如100uA、1mA或20mA。
2023-08-14
場(chǎng)效應(yīng)管 電流源
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串行通信協(xié)議比較
使用串行接口有許多不同的原因。常見(jiàn)的問(wèn)題之一是在開(kāi)發(fā)期間和/或在現(xiàn)場(chǎng)需要與 PC 連接。大多數(shù)（如果不是全部）PC 都具有某種可用于連接外圍設(shè)備的串行總線接口。對(duì)于必須與通用計(jì)算機(jī)連接的嵌入式系統(tǒng)，串行接口通常比 ISA 或 PCI 擴(kuò)展總線更容易使用。
2023-08-14
串行通信協(xié)議
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高性能 SiC MOSFET 技術(shù)裝置設(shè)計(jì)理念
合適的設(shè)備概念應(yīng)允許一定的設(shè)計(jì)自由度，以便適應(yīng)各種任務(wù)概況的需求，而無(wú)需對(duì)處理和布局進(jìn)行重大改變。然而，關(guān)鍵性能指標(biāo)仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數(shù)相結(jié)合。圖 1 列出了一些被認(rèn)為必不可少的參數(shù)，還可以添加更多參數(shù)。
2023-08-14
SiC MOSFET 技術(shù)
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