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簡(jiǎn)析電聲器件和電聲系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
之前有文章講述了一些影響聲音的因素和客觀指標(biāo)以及電聲產(chǎn)品設(shè)計(jì)、工藝之間的關(guān)系?，F(xiàn)在給大家分享一下電聲器件影響聲音的一些技術(shù)指標(biāo)。
2019-02-15
電聲器件 電聲系統(tǒng)
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MLCC是怎樣抵御波峰焊中的熱沖擊？
當(dāng)元件在短時(shí)間內(nèi)受到急劇加熱或冷卻時(shí)，會(huì)發(fā)生大量熱交換，該元件有可能受到熱沖擊，并可能導(dǎo)致元件機(jī)械性裂開。
2019-02-15
MLCC 波峰焊 多層陶瓷電容器
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解析視覺傳感技術(shù)的應(yīng)用及工作原理
視覺傳感技術(shù)是傳感技術(shù)七大類中的一個(gè)，視覺傳感器是指通過對(duì)攝像機(jī)拍攝到的圖像進(jìn)行圖像處理，來計(jì)算對(duì)象物的特征量(面積、重心、長(zhǎng)度、位置等)，并輸出數(shù)據(jù)和判斷結(jié)果的傳感器。
2019-02-15
視覺傳感 傳感技術(shù)
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電路保護(hù)設(shè)計(jì)需要注意哪些事項(xiàng)？
在通信、消費(fèi)、軍工、航空航天等領(lǐng)域，ESD往往是引起電路失效的罪魁禍?zhǔn)?，而過流過壓保護(hù)器件選擇、傳導(dǎo)輻射電磁干擾消除、EMC測(cè)試環(huán)境等問題成為工程師在設(shè)計(jì)時(shí)的難點(diǎn)，這些問題該怎么解決呢？
2019-02-15
電路保護(hù) 元器件
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G.FAST電路保護(hù)所面臨的挑戰(zhàn)分析
對(duì)于G.FAST等高帶寬線路，放置在線路上的任何電路保護(hù)元件的電容都可能會(huì)降低信號(hào)強(qiáng)度，從而降低其速率和覆蓋范圍。但是節(jié)點(diǎn)中的G.FAST調(diào)制解調(diào)器和電路必須受到保護(hù)，以防止雷電引起的浪涌造成損壞。以下將分析G.FAST電路保護(hù)所面臨的挑戰(zhàn)。
2019-02-15
G.FAST 電路保護(hù)
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詳解CMOS芯片上的開路和短路測(cè)試
雖然可以對(duì)各種器件進(jìn)行開路和短路測(cè)試，但這在半導(dǎo)體驗(yàn)證測(cè)試中最為常見。本文將詳細(xì)描述在CMOS芯片上測(cè)試開路和短路的過程。
2019-02-14
CMOS芯片 開路 短路 測(cè)試
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解析新型三柵極金屬氧化物半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管原理
目前瑞士和中國的研究人員共同制造出具有五個(gè)III族氮化物半導(dǎo)體溝道能級(jí)的三柵極金屬氧化物半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管，從而提高了靜電控制和驅(qū)動(dòng)電流。
2019-02-14
三柵極 金屬氧化物 半導(dǎo)體高電子 晶體管
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簡(jiǎn)析功率MOSFET的熱阻特性
功率MOSFET的結(jié)溫影響器件許多工作參數(shù)及使用壽命，數(shù)據(jù)表中提供了一些基本的數(shù)據(jù)來評(píng)估電路中功率MOSFET的結(jié)溫。本文主要來說明MOSFET的穩(wěn)態(tài)和動(dòng)態(tài)熱阻的測(cè)量方法，以及它們的限制條件。
2019-02-14
功率MOSFET 熱阻特性
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高分辨率LCD及相機(jī)面臨的電磁干擾敏感性及解決方法
下一代手機(jī)仍舊受緊湊設(shè)計(jì)趨勢(shì)的推動(dòng)，實(shí)現(xiàn)高分辨率LCD及相機(jī)將使設(shè)計(jì)者面臨多種挑戰(zhàn)，其中一個(gè)主要設(shè)計(jì)考慮便是這些新模塊對(duì)電磁干擾(EMI)的敏感性。
2019-02-14
電磁干擾 LCD 相機(jī)
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