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隔離飛電容多電平變換器的硬件設(shè)計(jì)
為了確保在指定的 40 V 輸出上進(jìn)行安全可靠的測(cè)試，選擇組件時(shí)要考慮各種操作。為了實(shí)現(xiàn)更大的電壓測(cè)試，并展示飛跨電容器多電平轉(zhuǎn)換器 (FCMFC) 如何利用與反激式轉(zhuǎn)換器相同的組件更有效地執(zhí)行， 本研究中未使用飛跨電容器結(jié)構(gòu)帶來(lái)的較低額定電壓。這表明后續(xù)幾代產(chǎn)品將通過(guò)使用 額定值較低的半導(dǎo)體...
2024-11-23
飛電容 電平變換器 硬件設(shè)計(jì)
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【“源”察秋毫系列】多次循環(huán)雙脈沖測(cè)試應(yīng)用助力功率器件研究及性能評(píng)估
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，功率器件在電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。這些應(yīng)用對(duì)功率器件的性能和可靠性提出了更高的要求。特別是在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域，功率器件需要在高電壓、高電流和高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作，這對(duì)器件的耐久性和可靠性是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。同時(shí)，隨著SiC等寬禁帶半...
2024-11-23
雙脈沖測(cè)試應(yīng)用 功率器件
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高信噪比MEMS麥克風(fēng)驅(qū)動(dòng)人工智能交互
在英飛凌，我們一直堅(jiān)信卓越的音頻解決方案對(duì)于提升消費(fèi)類(lèi)設(shè)備的用戶(hù)體驗(yàn)至關(guān)重要。我們堅(jiān)定不移地致力于創(chuàng)新，在主動(dòng)降噪、語(yǔ)音透?jìng)?、錄音室錄音、音頻變焦和其他相關(guān)技術(shù)方面取得了顯著進(jìn)步，對(duì)此我們深感自豪。作為MEMS麥克風(fēng)的領(lǐng)先供應(yīng)商，英飛凌集中資源改善MEMS麥克風(fēng)的音頻質(zhì)量，為T(mén)WS和耳罩...
2024-11-23
高信噪比 MEMS麥克風(fēng) 人工智能交互
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提高下一代DRAM器件的寄生電容性能
隨著傳統(tǒng)DRAM器件的持續(xù)縮小，較小尺寸下寄生電容的增加可能會(huì)對(duì)器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響，未來(lái)可能需要新的DRAM結(jié)構(gòu)來(lái)降低總電容，并使器件發(fā)揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪(fǎng)問(wèn)晶體管 (VCAT) DRAM結(jié)構(gòu)的寄生電容。結(jié)果表明，與6F2結(jié)構(gòu)相比，4F2結(jié)...
2024-11-20
DRAM器件 寄生電容
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韌性與創(chuàng)新并存，2024 IIC創(chuàng)實(shí)技術(shù)再獲獎(jiǎng)分享供應(yīng)鏈挑戰(zhàn)下的自我成長(zhǎng)
11月5日-6日，由全球電子行業(yè)知名媒體AspenCore主辦的國(guó)際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)（IIC Shenzhen 2024）在深圳福田會(huì)展中心7號(hào)館圓滿(mǎn)落幕。作為業(yè)界頗具影響力的系統(tǒng)設(shè)計(jì)峰會(huì)，IIC Shenzhen 2024再次為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)搭建了一個(gè)專(zhuān)業(yè)的交流平臺(tái)，聚集國(guó)內(nèi)外電子產(chǎn)業(yè)領(lǐng)袖、管理人員、設(shè)計(jì)精英及決策者，聚...
2024-11-19
IIC 創(chuàng)實(shí)技術(shù) 供應(yīng)鏈
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在更寬帶寬應(yīng)用中使用零漂移放大器的注意事項(xiàng)
零漂移運(yùn)算放大器使用斬波、自穩(wěn)零或這兩種技術(shù)的結(jié)合來(lái)消除不需要的低頻誤差源，例如失調(diào)和1/f噪聲。傳統(tǒng)上，此類(lèi)放大器僅用于低帶寬應(yīng)用中，因?yàn)檫@些技術(shù)在較高頻率時(shí)會(huì)產(chǎn)生偽像。只要系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)考慮了高頻誤差，例如紋波、毛刺和交調(diào)失真(IMD)等，較寬帶寬的解決方案也可以受益于零漂移運(yùn)算放大...
2024-11-19
零漂移放大器 寬帶寬應(yīng)用
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第9講：SiC的加工工藝（1）離子注入
離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過(guò)離子注入，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂?。本文?jiǎn)要介紹離子注入工藝及其注意事項(xiàng)。
2024-11-19
SiC 加工工藝 離子
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在發(fā)送信號(hào)鏈設(shè)計(jì)中使用差分轉(zhuǎn)單端射頻放大器的優(yōu)勢(shì)
傳統(tǒng)的射頻 (RF) 發(fā)送信號(hào)鏈通常使用數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (DAC) 來(lái)生成基帶信號(hào)。然后，使用射頻混頻器和本地振蕩器將此信號(hào)上變頻為所需的射頻頻率。射頻 DAC 技術(shù)取得進(jìn)步，現(xiàn)在允許直接以所需的射頻頻率生成信號(hào)，從而顯著簡(jiǎn)化射頻發(fā)送信號(hào)鏈的設(shè)計(jì)和復(fù)雜性。
2024-11-19
信號(hào)鏈設(shè)計(jì) 射頻放大器
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集成開(kāi)關(guān)控制器如何提升系統(tǒng)能效？
近年來(lái)，高度依賴(lài)在線(xiàn)資源的混合辦公模式加速普及，電子系統(tǒng)成為了必不可少的工具，效率的重要性愈發(fā)凸顯。這要求我們不僅在現(xiàn)場(chǎng)操作期間，更要在生產(chǎn)制造過(guò)程中，采取各種措施提升能效。
2024-11-17
開(kāi)關(guān)控制器 系統(tǒng) 能效
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