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P溝道功率MOSFETs及其應(yīng)用
Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應(yīng)用需求的增加， P溝道功率MOSFET的應(yīng)用范圍得到拓展。高端側(cè)（HS）應(yīng)用P溝道的簡易性使其對低壓變換器（<120V）和非隔離的負(fù)載點(diǎn)更具吸引力。
2024-04-07
功率MOSFETs
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關(guān)于高速電路中的AC耦合電容
在很多高速串行信號中，都會使用到AC耦合電容，既然在設(shè)計高速串行電路時，任何一個小小的不同都會引起信號完整性問題，為什么要在串行鏈路中加入一個AC耦合電容呢？這個電容不僅會導(dǎo)致信號邊沿變得緩慢，還有可能會引起阻抗不連續(xù)。
2024-04-04
高速電路 AC耦合電容
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汽車區(qū)域控制器架構(gòu)趨勢下，這三類的典型電路設(shè)計正在改變
汽車市場正在轉(zhuǎn)向區(qū)域控制器架構(gòu)的趨勢方向，而汽車區(qū)域控制器架構(gòu)正朝著分布式、集成化、智能化的方向發(fā)展，以實現(xiàn)更高效的數(shù)據(jù)處理、功能整合與自動駕駛支持?；趨^(qū)域控制器架構(gòu)帶來很多設(shè)計的機(jī)會與挑戰(zhàn)，例如SmartFET正越來越多替代傳統(tǒng)的MOSFET器件。
2024-04-04
汽車 控制器 電路設(shè)計
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意法半導(dǎo)體公布了新系列100V溝槽肖特基整流二極管以提高效率和功率密度
隨著低開關(guān)損耗的寬禁帶半導(dǎo)體等技術(shù)的廣泛應(yīng)用，設(shè)計人員開始提高功率轉(zhuǎn)換器的工作頻率，不斷刷新功率密度。不過，當(dāng)開關(guān)頻率變得更高時，用作整流器的傳統(tǒng)平面二極管(包括硅肖特基器件)的能量損耗也會隨之變大，嚴(yán)重限制了轉(zhuǎn)換能效的改進(jìn)。意法半導(dǎo)體推出可提升高開關(guān)頻率功率轉(zhuǎn)換器能效的100V溝...
2024-04-03
意法半導(dǎo)體 肖特基整流二極管
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揭秘電壓基準(zhǔn)源：如何選擇才能確保電子系統(tǒng)穩(wěn)定如初？
高精度電壓基準(zhǔn)源是眾多電子設(shè)備和系統(tǒng)的重要組件，其性能的優(yōu)劣直接影響整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。除了高精度這一特性之外，低溫漂、低噪聲、低功耗等特性同樣是電壓基準(zhǔn)源在應(yīng)對各類電子設(shè)備日益嚴(yán)苛要求時的必備要素。
2024-04-03
電壓基準(zhǔn)源 電子系統(tǒng)
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實現(xiàn)高降壓比的三種緊湊型解決方案
本文將闡述為何非隔離式DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器（在本文中簡稱為降壓轉(zhuǎn)換器）在高輸出電流下將高DC輸入電壓轉(zhuǎn)換為很低的輸出電壓時會面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，并介紹可以實現(xiàn)高降壓比，同時保持小尺寸的三種不同方法。
2024-04-03
DC-DC 降壓轉(zhuǎn)換器
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自適應(yīng)能量采集PMIC有助于構(gòu)建環(huán)保的自動互聯(lián)設(shè)備
人們常提議利用環(huán)境能量采集技術(shù)為遠(yuǎn)程物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的電池充電，但這種技術(shù)尚未普及。本博客探討了導(dǎo)致這一情況的原因，并介紹了Nexperia（安世半導(dǎo)體）的創(chuàng)新型電源管理集成電路(PMIC)，該集成電路將從根本上提高能量采集的可行性，且環(huán)境效益顯著。
2024-04-03
能量 PMIC 環(huán)保 自動互聯(lián)設(shè)備
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基于RTC的低功耗精準(zhǔn)時鐘同步
時鐘同步的應(yīng)用廣泛，但常規(guī)的時鐘同步方案或?qū)K端設(shè)備要求高，或原理相對復(fù)雜。對此，本文利用大普的RTC秒上升沿即時生效原理，設(shè)計一種低功耗、高精確時鐘同步方案。
2024-04-03
RTC 時鐘
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利用雙MOSFET最大限度地提高開關(guān)轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的功率密度和性能
工業(yè)和汽車開關(guān)轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動器都需要體積小、效率高、電氣噪聲低的金屬氧化物硅場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。雙 MOSFET 方法有助于滿足這些要求。
2024-03-29
雙MOSFET 開關(guān)轉(zhuǎn)換器
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