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南方芯源的系列無鹵化產(chǎn)品通過可靠性測(cè)試
2008年4月， Samwin系列產(chǎn)品的無鹵化產(chǎn)品通過可靠性測(cè)試，成為國(guó)內(nèi)首家提供全系列無鹵產(chǎn)品的MOSFET制造商。其中SW C1N70A(TO-92)產(chǎn)品已通過Apple公司的HF（無鹵）認(rèn)證，SW I2N70(TO-251)已通過Samsung 的HF認(rèn)證。
2008-04-22
SW C1N70A(TO-92) 無鹵 HF SW I2N70(TO-251)
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NTUD312x:安森美適合便攜電子產(chǎn)品應(yīng)用超小型MOSFET
安森美半導(dǎo)體推出三款新的采用超小型SOT-963封裝的MOSFET，它們均針對(duì)空間受限的便攜電子產(chǎn)品進(jìn)行了優(yōu)化。SOT-963的尺寸為1.0 mm×1.0 mm，這些采用SOT-963封裝的NTUD312x新器件僅有0.5 mm的低垂直凈距，滿足新世代超薄手持便攜設(shè)備的要求。
2008-04-21
NTUD312x NTUD3127C NTUD3129P MOSFET SOT-963 便攜應(yīng)用
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EPCOS新GLONASS導(dǎo)航系統(tǒng)專用SAW濾波器
愛普科斯（EPCOS）已為俄羅斯導(dǎo)航系統(tǒng)GLONASS（全球?qū)Ш叫l(wèi)星系統(tǒng)）研發(fā)出一款專用SAW濾波器，它具有非常高的鄰道選擇性。這一性能特別重要：因?yàn)槠渑c相鄰的提供電話服務(wù)的Inmarsat（國(guó)際海事衛(wèi)星）僅有15 MHz的頻率間隔。
2008-04-16
GLONASS導(dǎo)航系統(tǒng) SAW濾波器 聲表面型濾波器
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VMMK-1218/25:安華高面向無線通信應(yīng)用超小FET產(chǎn)品
Avago宣布，推出超小封裝尺寸場(chǎng)效應(yīng)晶體管產(chǎn)品VMMK-1218和-1225，占用空間只有標(biāo)準(zhǔn)SOT-343封裝的5%以下，帶來具備高頻工作能力和卓越散熱效果的小型化晶體管產(chǎn)品。這些器件不需要負(fù)電壓就能工作，為射頻應(yīng)用設(shè)計(jì)工程師帶來成本更低并且使用更容易的好處。
2008-04-11
VMMK-1218 VMMK-1225 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 FET
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Si8441DB/Si8451DB：Vishay超薄20V P通道功率MOSFET
日前，為滿足對(duì)便攜式設(shè)備中更小元件的需求，Vishay推出 20V p 通道 TrenchFET功率 MOSFET，該器件采用 MICRO FOOT芯片級(jí)封裝，具有超薄厚度及最低導(dǎo)通電阻。
2008-04-09
Si8441DB Si8451DB 功率MOSFET
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MAX4888A/MAX4889A：Maxim PCIe高速無源開關(guān)
Maxim推出MAX4888A/MAX4889A高速PCI Express (PCIe)無源開關(guān)，能夠切換速率在5.0Gbps的數(shù)據(jù)。這兩款無源開關(guān)支持PCIe 2.0數(shù)據(jù)切換，具有較低的功耗，并且提供按信號(hào)流向的引腳配置以優(yōu)化PCB布板。
2008-04-07
MAX4888A MAX4889A PCI Express (PCIe)無源開關(guān) DisplayPort
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B3292*E/F系列：EPCOS新薄膜電容器
憑借新款B3292*E/F系列，愛普科斯(EPCOS) 現(xiàn)可供應(yīng)支持高達(dá)45μF容值的X2防護(hù)級(jí)電容器。該元件專用于305V交流電和110℃的跨線應(yīng)用，并且已經(jīng)通過IEC60384-14、UL1283和CSA 22.2第8級(jí)別的認(rèn)證。
2008-04-01
B3292*E/F 薄膜電容器
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MAX4929E：Maxim新低頻HDMI/DVI控制開關(guān)
Maxim推出MAX4929E低頻HDMI/DVI控制開關(guān)。該器件能夠在進(jìn)入單個(gè)顯示器的兩路數(shù)字視頻信號(hào)之間進(jìn)行切換，或在多個(gè)HDMI/DVI連接器之間切換，并保持高度的信號(hào)完整性。
2008-03-27
MAX4929E HDMI/DVI控制開關(guān)
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Si7192DP：Vishay Siliconix TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay推出新型第三代 TrenchFET功率 MOSFET 系列中的首款器件，該器件具有破紀(jì)錄的導(dǎo)通電阻規(guī)格及導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積。
2008-03-26
Si7192DP 功率MOSFET Siliconix TrenchFET
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
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