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ETHISPHERE宣布安森美連續(xù)第七年獲選為2022年世界最道德企業(yè)之一
2022年3月16日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，獲Ethisphere選為2022年世界最道德企業(yè)之一。Ethisphere是定義和推進合乎商業(yè)道德標準的一個全球領(lǐng)導(dǎo)者。這是安森美連續(xù)第七年上榜。2022年，來自22個國家、跨45個行業(yè)的136家企業(yè)受到表彰。半導(dǎo)體行業(yè)則只...
2022-03-16
ETHISPHERE 安森美 最道德企業(yè)
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使用最新的SiC FET技術(shù)提升車載充電器性能
碳化硅FET已經(jīng)在車載充電器（OBC）電路領(lǐng)域確立了自身地位，尤其是在電池工作電壓超過500V的情況下。這些器件的低功率損耗使得穿孔封裝和表面安裝式封裝都可以用于此應(yīng)用。我們調(diào)查了這些封裝選項的相對熱性能，并證實了TO247-4L和D2PAK-7L選項可用于6.6 kW和22 kW充電器。
2022-03-15
SiC FET 車載充電器 性能
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電源設(shè)計：如何利用波特圖來滿足動態(tài)控制行為的要求
本文介紹如何利用波特圖來快速評估您的電源設(shè)計是否滿足動態(tài)控制行為要求。電源通常通過控制環(huán)路保持固定的輸出電壓。這個控制環(huán)路可能穩(wěn)定，也可能不穩(wěn)定；可以快速調(diào)節(jié)，也可以慢速調(diào)節(jié)。在大多數(shù)情況下，都可以使用波特圖來描述控制環(huán)路。通過使用波特圖，您可以查看控制環(huán)路的速度，特別是其調(diào)...
2022-03-14
電源設(shè)計 波特圖 動態(tài)控制
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HT7181 3.7V/7.4V升16V內(nèi)置MOS大功率升壓IC解決方案
DC-DC升壓電路在電子電路中是很常見的，無論是匹配不同器件的工作電壓需要還是為了提高足夠的輸出功率，都必須用到升壓電路。特別是便攜式的電子產(chǎn)品，電源是電池供電，如單雙節(jié)鋰電、三節(jié)鋰電或鉛酸電池12V。通過DC-DC升壓電路，升壓后給其他電路供電。
2022-03-14
HT7181 DC-DC升壓電路 解決方案
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第4代SiC MOSFET為何備受青睞？
近年來，為了實現(xiàn)“碳中和”等減輕環(huán)境負荷的目標，需要進一步普及下一代電動汽車（xEV），從而推動了更高效、更小型、更輕量的電動系統(tǒng)的開發(fā)。尤其是在電動汽車（EV）領(lǐng)域，為了延長續(xù)航里程并減小車載電池的尺寸，提高發(fā)揮驅(qū)動核心作用的電控系統(tǒng)的效率已成為一個重要課題。SiC（碳化硅）作為新一...
2022-03-14
SiC MOSFET 電動汽車
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如何設(shè)計小型USB-C PD和PPS適配器
對于產(chǎn)品設(shè)計工程師來說，如何提升產(chǎn)品競爭力是他們面對的核心挑戰(zhàn)。充電器和適配器要越做越?。荒軌驗橹悄苁謾C、平板電腦、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供完整的USB-C功率傳輸(PD)、數(shù)字控制電源(PPS)功能；充電時間要越來越短。眾所周知，設(shè)計更小巧的充電器和適配器的關(guān)鍵在于減少元件數(shù)量和最...
2022-03-11
USB-C PD PPS 適配器
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這款DC/DC轉(zhuǎn)換器在待機模式下僅消耗約65 nA電流
本文將介紹一類新的DC-DC轉(zhuǎn)換器，其中一個例子是LTC3336。它在待機模式下僅消耗約65 nA的電流，非常適合電池供電系統(tǒng)。
2022-03-11
DC/DC轉(zhuǎn)換器 待機模式 消耗電流
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安森美入選《投資者商業(yè)日報》2021年ESG最佳表現(xiàn)百強企業(yè)榜單
2022年3月10日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布其在ESG方面的努力獲得認可入選《投資者商業(yè)日報》(Investor’s Business Daily或IBD) 2021年ESG最佳表現(xiàn)百強企業(yè)榜單。該榜單彰顯在ESG評分領(lǐng)先和股票表現(xiàn)強勁的公司，安森美在2021年榜單中排名第49。
2022-03-11
安森美 ESG 百強企業(yè)
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充分挖掘SiC FET的性能
性能是一個主觀術(shù)語，它可以用許多你喜歡的方式衡量，但是在功率轉(zhuǎn)換界，它歸結(jié)為兩個相互依賴的主要值，即效率和成本?，F(xiàn)在，作為半導(dǎo)體開關(guān)材料，硅在導(dǎo)電和動態(tài)損耗性能方面已經(jīng)到達了極限，這已經(jīng)是一個常識了，因此越來越多的人考慮采用碳化硅和氮化鎵寬帶隙技術(shù)來實現(xiàn)更好的性能。這兩種材料...
2022-03-10
SiC FET 性能
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