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冗余式UPS技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
UPS自20世紀(jì)60年代問(wèn)世以來(lái)，在全世界范圍內(nèi)得到了廣泛地推廣和應(yīng)用。由于傳統(tǒng)單機(jī)UPS存在諸多弊端，冗余式UPS逐漸得到了發(fā)展，其技術(shù)革新一直倍受關(guān)注。本文針對(duì)冗余式UPS發(fā)展的必然性，介紹冗余式UPS技術(shù)的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
2009-07-10
ups 冗余式UPS 高頻鏈技 總線互聯(lián)
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通過(guò)功率MOSFET的頂面溫度估算結(jié)點(diǎn)溫度
通常，MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)中提供的結(jié)點(diǎn)溫度數(shù)據(jù)只限于結(jié)到引腳和結(jié)到環(huán)境之間的熱阻。雖然可根據(jù)定制條件使用一些工具來(lái)實(shí)現(xiàn)更精確的熱仿真，但有時(shí)只需要時(shí)間來(lái)運(yùn)行仿真就可以了。
2009-07-09
功率MOSFET MOSFET 結(jié)點(diǎn)溫度
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杜邦與美能源部合作投資900萬(wàn)美元太陽(yáng)能研究項(xiàng)目
杜邦公司日前宣布，正與美國(guó)能源部合作一個(gè)投資900萬(wàn)美元的太陽(yáng)能研究項(xiàng)目，并計(jì)劃將這個(gè)耐用的、輕質(zhì)的、高效的、柔韌的薄膜光電模塊產(chǎn)品用于更廣泛的商業(yè)用途。
2009-07-09
薄膜光電模塊 太陽(yáng)能模塊 超薄保護(hù)膜
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未來(lái)電源發(fā)展的架構(gòu)
近年電子及數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展及分布式供電系統(tǒng)的推廣，DC-DC轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用越來(lái)越廣，新的微處理器、記憶體、DSP及ASIC都趨向要求低電壓、大電流供電。面對(duì)新世代的電子器件和負(fù)載，電源業(yè)要面對(duì)重大的挑戰(zhàn)，產(chǎn)品除了能在低電壓輸出大電流外，還要做到體積小、重量輕、動(dòng)態(tài)反應(yīng)快，噪聲小和價(jià)錢相宜。這...
2009-07-09
CPA DPA
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熱插拔電源模塊的應(yīng)用與安全控制
本文將介紹采用具有熱插拔功能的電源模塊組成48V分布式電源結(jié)構(gòu)時(shí)應(yīng)考慮的設(shè)計(jì)問(wèn)題與用熱插拔控制器電路解決多個(gè)電路板或刀片刀片熱插拔運(yùn)行中的安會(huì)問(wèn)題等二個(gè)方面的內(nèi)容。
2009-07-09
熱插拔 刀片構(gòu)建 IAM MOSFET
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開關(guān)變壓器第六講 導(dǎo)磁率的測(cè)量計(jì)算
在測(cè)試變壓器鐵芯導(dǎo)磁率的時(shí)候，一般都是通過(guò)測(cè)試變壓器線圈電感量的方法來(lái)測(cè)試變壓器鐵芯的導(dǎo)磁率；這種測(cè)試方法實(shí)際上就是測(cè)試電感線圈的交流阻抗;然而用來(lái)代表介質(zhì)屬性的導(dǎo)磁率并不是一個(gè)常數(shù)，而是一個(gè)非線性函數(shù)，它不但與介質(zhì)以及磁場(chǎng)強(qiáng)度有關(guān)，而且與溫度還有關(guān)。導(dǎo)磁率所定義的并不是一個(gè)簡(jiǎn)...
2009-07-08
開關(guān)變壓器 導(dǎo)磁率
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200W LED照明系統(tǒng)的電源設(shè)計(jì)方案
飛兆200W LED照明電源解決方案主要由基于FAN6961電壓模式PFC控制器的高功率因數(shù)預(yù)穩(wěn)壓器和基于諧振LLC拓?fù)涞母綦x型DC/DC轉(zhuǎn)換器構(gòu)成，輸入電壓范圍可從90VRMS到265VRMB，可產(chǎn)生六路輸出，每路最大輸出功率為0.7A/48V。
2009-07-07
200W LED照明 電源設(shè)計(jì)方案
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電池爭(zhēng)霸戰(zhàn) 日本受到中韓猛烈?jiàn)A擊
二次電池市場(chǎng)戰(zhàn)云密布，中日韓暗中角力。在二次電池市場(chǎng)大頭的鋰離子電池中，中日韓三國(guó)在世界市場(chǎng)的占有率高達(dá)96%，三國(guó)間競(jìng)爭(zhēng)十分激烈。
2009-07-07
二次電池鋰離子電池
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ZXMC10A816:Diodes推出新型雙MOSFET組合式器件
Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件，它采用SO8封裝，包含一對(duì)互補(bǔ)100V增強(qiáng)式MOSFET，性能可媲美體積更大的獨(dú)立封裝器件。ZXMC10A816適用于H橋電路，應(yīng)用范圍包括直流風(fēng)扇和逆變器電路、D類放大器輸出級(jí)以及其他多種48V應(yīng)用。
2009-07-07
ZXMC10A816 增強(qiáng)式MOSFET N通道 P通道
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