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2012全球LTE手機競爭激烈
今年世界各地將有100多個移動電信運營商開始LTE商業(yè)運作，諾基亞，索尼移動通信和中國的中興，華為等廠商都將推出LTE手機，這將加速2012年全球LTE手機市場競爭。
2012-02-23
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背光和照明市場需求增加緩減2012年LED供應過剩
據(jù)DisplaySearch —過去一段時間由于LED背光液晶電視銷售減弱且LED照明成長緩慢，2011年LED出現(xiàn)了供大于求的局面，供需落差達30%。2012年，隨著背光和照明的市場需求回暖，過度供應問題將得到有效緩解。根據(jù)NPD DisplaySearch季度LED供需市場預測報告Quarterly LED Supply/Demand Market Forecast Report指出，第一季度供需過剩比為19%，第二季度將進一步下降至16%。
2012-02-23
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IMF：TE推出用于零瓦電路的靈敏雙穩(wěn)態(tài)小尺寸繼電器
TE Connectivity 公司推出用于零瓦電路的IMF繼電器。如果沒有像移動手機連接器之類的終端設備，零瓦充電器就會停止從電網(wǎng)中取電， TE的IMF是專為這樣的應用而設計的，其設計是對現(xiàn)有AXICOM IM繼電器產(chǎn)品線的補充。
2012-02-22
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Vishay 擴充用于功率電子的重載電容器
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，擴充其用于功率電子的重載Vishay ESTA HDMKP電容器，增添新容值和新封裝形式。
2012-02-22
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4G競逐大戲已經(jīng)開場 推廣標準是關鍵
從3G到4G，從追隨者變?yōu)橛螒蛞?guī)則制定者，中國正一步步建立自己的移動通信標準體系。由中國主導的TD-LTE在1月18日正式成為4G國際標準，這意味著下一代移動通信標準的全球征戰(zhàn)正式開場。但制定標準只是開始，推廣標準才是關鍵。只有以標準為支點，占據(jù)全球競爭的制高點，從而撬動整個國家產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略的轉(zhuǎn)型升級，才是中國發(fā)展TD-LTE的意義所在。
2012-02-22
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基于EXB841的IGBT驅(qū)動與保護電路設計
多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特點，近年來在各種電能變換裝置中得到了廣泛應用。但是，IGBT的門極驅(qū)動電路影響IGBT的通態(tài)壓降、開關時間、快開關損耗、承受短路電流能力及du/dt等參數(shù)，并決定了IGBT靜態(tài)與動態(tài)特性。因此設計高性能的驅(qū)動與保護電路是安全使用IGBT的關鍵技術。
2012-02-21
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Digi-Key與Ramtron 簽署全球經(jīng)銷協(xié)議
Digi-Key 公司是一家知名的電子元件經(jīng)銷商，被設計師們譽為業(yè)內(nèi)最廣泛的電子元件庫，提供立即發(fā)貨服務，日前宣布已經(jīng)與 Ramtron International Corporation簽署全球經(jīng)銷協(xié)議。
2012-02-20
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2011全球LTE終端出貨800萬部 營收25億美元
根據(jù)國外媒體報道，2012年全球?qū)谐^100張LTE商用網(wǎng)絡投入運營。美國將成為重要的增長驅(qū)動力。同時，頻譜問題將繼續(xù)影響LTE發(fā)展。
2012-02-20
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IR3551：IR擴充PowIRstage系列以提升擴展性與性能
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IR3551以擴充PowIRstage 集成式器件系列，新器件特別適合下一代服務器、臺式電腦、顯卡及通信系統(tǒng)應用。
2012-02-17
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飛兆、英飛凌擴展功率MOSFET封裝兼容協(xié)議
全球領先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進一步擴展封裝兼容合作伙伴關系，擴展協(xié)議將包括5x6mm非對稱結構功率級雙MOSFET封裝。
2012-02-16
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TE推出業(yè)界最低電容硅靜電放電保護器件用于高數(shù)據(jù)速率應用
TE Connectivity旗下的一個業(yè)務部門TE電路保護部日前發(fā)布一個系列8款全新的單/多通道硅靜電放電（SESD）保護器件，可提供市場上最低的電容（雙向：典型值為0.10pF，單向：典型值為 0.20pF）、最高的ESD保護（20kV空氣放電和接觸放電）和最小尺寸封裝（多通道：最小的直通外形尺寸、厚度為0.31mm）。
2012-02-16
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FM3系列：富士通半導體擴充32位微控制器產(chǎn)品陣容
富士通半導體（上海）有限公司近日宣布推出第四波基于ARM? CortexTM-M3處理器內(nèi)核的32位RISC微控制器的FM3系列新產(chǎn)品。此次，富士通半導體共推出210款新產(chǎn)品，即日起提供樣片。富士通半導體未來還將繼續(xù)擴充FM3系列產(chǎn)品線，并計劃于2012年底達到500款。
2012-02-15
- 步進電機驅(qū)動器技術演進：從基礎驅(qū)動到智能閉環(huán)控制
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