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仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性
關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。
2021-10-17
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讓我們看看升壓型穩(wěn)壓器是如何造就兼具升壓和降壓能力的扁平狀SEPIC的？
汽車、分布式電源和電池供電型應(yīng)用的工作電壓常常取自一個寬的可變總線電壓。工作電壓經(jīng)常位于總線電壓范圍中間的某個數(shù)值上，例如汽車工作電壓為12V，總線電壓為4V至18V。這些應(yīng)用需要采用一個能夠根據(jù)總線電壓進行升壓或降壓操作的DC/DC轉(zhuǎn)換器。
2021-10-13
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如何實現(xiàn)伽馬光子輻射檢測器的設(shè)計
這篇文章主要討論了實現(xiàn)伽馬光子輻射檢測器的設(shè)計注意事項，原理圖和組件選擇。該設(shè)計由一個PIN光電二極管，四個低噪聲運算放大器和一個比較器組成，該比較器能夠檢測伽馬輻射的各個光子。
2021-09-12
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仿真看世界之650V混合SiC單管的開關(guān)特性
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-09-08
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Digi-Key開售Red Pitaya的@HOME套件，將實驗室練習(xí)帶到遠程或居家環(huán)境中
Digi-Key Electronics 擁有全球品類極為豐富并且能夠立即發(fā)貨的現(xiàn)貨庫存電子元件，日前宣布已與 Red Pitaya 公司建立全球分銷合作伙伴關(guān)系，將分銷其 @HOME 套件。該套件提供了多功能性和便攜性，可以將實驗室練習(xí)帶到遠程或居家環(huán)境中，是遠距離或者居家工作的教授和學(xué)生們的理想選擇。
2021-09-02
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英特爾面向 CPU、GPU 和 IPU發(fā)布了重大技術(shù)架構(gòu)的改變和創(chuàng)新
在 2021 年英特爾架構(gòu)日上，英特爾公司高級副總裁兼加速計算系統(tǒng)和圖形事業(yè)部總經(jīng)理 Raja Koduri 攜手多位英特爾架構(gòu)師，全面介紹了兩種全新 x86 內(nèi)核架構(gòu)的詳情；英特爾首個性能混合架構(gòu)，代號“Alder Lake”，以及智能的英特爾? 硬件線程調(diào)度器；專為數(shù)據(jù)中心設(shè)計的下一代英特爾? 至強? 可擴展處理器 Sapphire Rapids；基礎(chǔ)設(shè)施處理器（IPU）；即將推出的顯卡架構(gòu)，包括 Xe HPG 微架構(gòu)和 Xe HPC 微架構(gòu)，以及 Alchemist SoC, Ponte Vecchio SoC。
2021-08-22
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固定增益雙端口G類差分放大器設(shè)計
ISL1561是固定增益雙端口G類差分放大器設(shè)計，與AB類放大器相比，可在降低功耗的情況下驅(qū)動ADSL2 +和VDSL2。線路驅(qū)動器采用+ 12V至+ 14V單電源供電，并且在檢測到升壓時會產(chǎn)生較高的電源電壓。靜態(tài)電流可以通過3引腳串行端口接口（SPI）用12位命令進行編程。
2021-08-17
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齊納、PIN、肖特基和變?nèi)荻O管的基礎(chǔ)知識及其應(yīng)用
雖然傳統(tǒng)的硅二極管或鍺二極管在大多數(shù)電子應(yīng)用中可以很好地作為整流器和開關(guān)元件使用，但它們不具備電子微調(diào)、電子衰減、低損耗整流、基準電壓生成等功能。最初，我們使用更原始、成本更高且體積更大的“蠻力”方法來完成這些任務(wù)。這些方法現(xiàn)在已經(jīng)讓位于更精巧的特殊用途二極管，包括變?nèi)荻O管、PIN 二極管、肖特基二極管和齊納二極管。
2021-08-16
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智能車單片機的分段PID控制
自動尋跡智能車涉及到當前高技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的許多先進技術(shù)，其中 主要的是傳感技術(shù)、路徑規(guī)劃和運動控制。本課題是以飛思卡爾智能車競賽為背景，以單片機作為 控制單元，以攝像頭作為路徑識別傳感器，以直流電機作為小車的驅(qū)動裝置，以舵機控制小車轉(zhuǎn)向。
2021-08-09
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兼容SPICE的運算放大器宏模型
目前，電路仿真領(lǐng)域呈現(xiàn)采用全方位電路仿真方法的趨勢。我們認為，在所有安裝的電路仿真器中，有75%用于系統(tǒng)設(shè)計，而不是IC設(shè)計。幾乎所有這些仿真器都是SPICE的變體。隨著電子行業(yè)不斷發(fā)展，系統(tǒng)工程師面對日益增多的集成電路，尤其是無處不在的運算放大器，也需要愈加精準的模型。但是，這些IC器件的速度和復(fù)雜性不斷提高，給初期的SPICE開發(fā)人員帶來了始料未及的問題。
2021-08-02
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如何選擇升壓調(diào)節(jié)器/控制器IC并使用LTspice選擇外圍組件
為升壓調(diào)節(jié)器選擇IC的過程與降壓調(diào)節(jié)器不同，主要區(qū)別在于所需輸出電流與調(diào)節(jié)器IC數(shù)據(jù)手冊規(guī)格之間的關(guān)系。在降壓拓撲中，平均電感電流基本上與負載電流相同。而升壓拓撲的情形則不一樣，它需要基于開關(guān)電流進行計算。本文介紹了升壓調(diào)節(jié)器IC（帶內(nèi)部MOSFET）或控制器IC（帶外部MOSFET）的選擇標準，以及如何使用LTspice?選擇合適的外圍組件以構(gòu)建完整的升壓功率級。
2021-08-01
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PIN二極管參數(shù)和結(jié)構(gòu)原理
一般的二極管是由N型雜質(zhì)摻雜的半導(dǎo)體材料和P型雜質(zhì)摻雜的半導(dǎo)體材料直接構(gòu)成形成PN結(jié)。而PIN二極管是在P型半導(dǎo)體材料和N型半導(dǎo)體材料之間加一薄層低摻雜的本征（Intrinsic）半導(dǎo)體層。
2021-06-14
- IOTE 2025深圳物聯(lián)網(wǎng)展：七大科技領(lǐng)域融合，重塑AIoT產(chǎn)業(yè)生態(tài)
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