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前端電源設(shè)備接口電路設(shè)計(jì)
Microsemi公司宣布其新的先進(jìn)的前端電源設(shè)備（PD）接口控制器（IC），應(yīng)用于高功率HDB ASE-T和四對(duì)電源的以太網(wǎng)供電（PoE）應(yīng)用程序。
2013-01-11
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經(jīng)AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道功率MOSFET
近日，Vishay推出采用7腳D2PAK封裝的新款Siliconix 40V N溝道TrenchFET功率MOSFET，該產(chǎn)品通過AEC-Q101認(rèn)證并具有1.1mΩ的低導(dǎo)通電阻和200A的連續(xù)漏極電流。
2013-01-10
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具備高信噪比和高靈敏度地MEMS麥克風(fēng)
Bosch旗下Akustica新推4款MEMS麥克風(fēng)。新型麥克風(fēng)的63dB高信噪比(SNR)、超寬頻率響應(yīng)與+/-2dB完美匹配靈敏度。
2013-01-10
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增強(qiáng)型通信IC系列為以太網(wǎng)供電應(yīng)用的理想選擇
光隔離I2C總線轉(zhuǎn)發(fā)器，提供了一個(gè)集成的單一封裝解決方案，最大限度地減少電路板空間，并減少了元件數(shù)量。此外，提供無干擾的操作，以及出色的可靠性和很長(zhǎng)的運(yùn)行壽命。
2013-01-09
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可高頻工作、大幅度地降低開關(guān)損耗的降壓穩(wěn)壓器
由于單片機(jī)和數(shù)字信號(hào)處理器（DSP）不斷推陳出新, 電路板設(shè)計(jì)方案也不斷升級(jí),盡管功率有所增加，但產(chǎn)品尺寸卻不能增大了。因此，高密度穩(wěn)壓器便順著最新IC集成技術(shù)、MOSFET及封裝工藝的改良而不斷發(fā)展。
2013-01-09
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整個(gè)BOM僅需要兩個(gè)旁路電容的Si7005傳感器
Si7005濕度傳感器是Silicon Labs傳感器產(chǎn)品組合的最新成員，是“即插即用”、由工廠校準(zhǔn)的RH和溫度傳感的理想選擇。其具備易用、可靠、小尺寸、低功耗和兼容性等無與倫比的特性組合。
2013-01-09
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【盤點(diǎn)】存儲(chǔ)模塊連接器，你用對(duì)了嗎？
筆記本內(nèi)存有Micro DIMM和Mini Registered DIMM兩種接口。Micro DIMM接口的DDR為172pin，DDR2為214pin；Mini Registered DIMM接口為244pin，主要用于DDR2內(nèi)存。DDR3 SO-DIMM接口為204pin。如何選擇，請(qǐng)看本文詳細(xì)解讀？
2013-01-09
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使處理器芯片獲益的外部電源管理器件和電源IC
本文介紹了這些方法的概念，以及我們?nèi)绾芜\(yùn)用它們實(shí)現(xiàn)節(jié)能的目的，同時(shí)還討論了幫助處理器芯片獲益的一些外部電源管理器件和電源IC。
2013-01-09
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探測(cè)距離可達(dá)1米的接近傳感器發(fā)布
Vishay發(fā)布探測(cè)距離可超過1米，同時(shí)具有優(yōu)異的抵御環(huán)境光能力的全集成接近傳感器，該傳感器把紅外發(fā)射器、光電二極管、信號(hào)處理IC和16位ADC集成進(jìn)小尺寸4.85mm x 2.35mm x 0.83mm的封裝，是目前最具市場(chǎng)潛力的小尺寸，全集成產(chǎn)品。
2013-01-08
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可和智能手機(jī)及平板電腦連接使用的適配器模塊
東芝推出microUSB接口的外置式TransferJet適配器模塊，可經(jīng)由microUSB接口與配備Android系統(tǒng)的智能手機(jī)及平板電腦等連接使用。
2013-01-08
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MOLEX HDMI和HDMI Micro連接器性能優(yōu)勢(shì)解讀
Molex是首家生產(chǎn)HDMI Micro連接器的廠家，HDMI Micro連接器是世界上用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品和便攜式手持設(shè)備制造商的最小商品化 I/O 解決方案，其機(jī)械強(qiáng)度和電氣特征與較大的迷你型連接器相當(dāng)。設(shè)計(jì)時(shí)該如何選擇？本文為你詳細(xì)講解Molex的HDMI和HDMI Micro連接器的性能優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域。
2013-01-08
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如何對(duì)以太網(wǎng)端口做最佳保護(hù)
電子產(chǎn)品的威脅及以太網(wǎng)絡(luò)的保護(hù)。設(shè)計(jì)人員使用保護(hù)器去維護(hù)設(shè)備的可靠性，以對(duì)抗包括：Lighting Induced Surges、ESD (Electrostatic Discharge)、EFT(Electrical Fast Transient)及CDE(Cable Discharge Event)在內(nèi)的4種主要威脅。
2013-01-08
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
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