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關(guān)于IGBT導(dǎo)通延遲時(shí)間的精確測(cè)量方法
在某些對(duì)器件時(shí)間特性要求較高的工程應(yīng)用中,需要更精確地確定IGBT的導(dǎo)通延遲時(shí)間。因而高精度的測(cè)量時(shí)間間隔是測(cè)量領(lǐng)域一直關(guān)注的問(wèn)題。本文從精簡(jiǎn)結(jié)構(gòu),同時(shí)兼顧精度的角度出發(fā),提出一種基于時(shí)間測(cè)量芯片TDC-GP2來(lái)精確測(cè)量IGBT導(dǎo)通延遲時(shí)間系統(tǒng),用于測(cè)量IGBT的導(dǎo)通延遲時(shí)間,實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單且成本低的一種較為理想的測(cè)量方案。
2011-09-06
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單正向柵驅(qū)動(dòng)IGBT簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路
為了防止高dV/dt應(yīng)用于橋式電路中的IGBT時(shí)產(chǎn)生瞬時(shí)集電極電流,設(shè)計(jì)人員一般會(huì)設(shè)計(jì)柵特性是需要負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)的IGBT。然而提供負(fù)偏置增加了電路的復(fù)雜性,也很難使用高壓集成電路(HVIC)柵驅(qū)動(dòng)器,因?yàn)檫@些IC是專為接地操作而設(shè)計(jì)──與控制電路相同。因此,研發(fā)有高dV/dt能力的IGBT以用于“單正向”柵驅(qū)動(dòng)器便最為理想了。這樣的器件已經(jīng)開(kāi)發(fā)出來(lái)了。器件與負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)IGBT進(jìn)行性能表現(xiàn)的比較測(cè)試,在高dV/dt條件下得出優(yōu)越的測(cè)試結(jié)果。
2011-08-29
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新型節(jié)能設(shè)計(jì)技術(shù)研討會(huì)圓滿舉辦 打造西部電子高能效設(shè)計(jì)技術(shù)盛會(huì)
由CNT Networks、中國(guó)電子展組委會(huì)和China Outlook Consulting聯(lián)合在成都和西安兩地成功舉辦了第七/八屆新型節(jié)能設(shè)計(jì)技術(shù)研討會(huì)成功舉辦。本屆研討會(huì)成都站活動(dòng)于8月23日將在成都明悅大酒店舉辦;8月25日移師西安曲江國(guó)際會(huì)展中心,與中國(guó)(西安)電子展同期舉行。來(lái)自威世、凌力爾特、基美電子、英飛凌、羅姆、品佳電子的技術(shù)專家全面介紹了包括超快恢復(fù)二極管、薄膜電容、鋁電容、、鉭電容、聚合物電容、MOSFET、IGBT、SiC器件在內(nèi)的電子元器件在太陽(yáng)能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、新能源汽車、工業(yè)與通訊等領(lǐng)域中的應(yīng)用
2011-08-27
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綠色能源計(jì)劃推動(dòng)中國(guó)IGBT市場(chǎng)增長(zhǎng)
據(jù)IHS iSuppli公司中國(guó)研究服務(wù)即將發(fā)表的一份報(bào)告,由于綠色能源與能源效率得到更多的重視,以及政府投資支持和嚴(yán)格的能源政策,2011-2015年中國(guó)絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場(chǎng)銷售額的復(fù)合年度增長(zhǎng)率將達(dá)13%...
2011-08-15
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IGBT構(gòu)成的交流傳動(dòng)逆變器的設(shè)計(jì)
隨著半導(dǎo)體器件的發(fā)展,IGBT越來(lái)越多的被應(yīng)用到交流傳動(dòng)技術(shù)中。本文主要分析了IGBT構(gòu)成的交流傳動(dòng)逆變器的主電路原理、逆變電路結(jié)構(gòu)及緩沖保護(hù)電路結(jié)構(gòu),并對(duì)主電路的安裝布局以及電壓電流參數(shù)的選取做出了說(shuō)明,同時(shí)提出了一種由M57959構(gòu)成的IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)。
2011-08-04
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高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的新進(jìn)展
從1957年第一只晶閘管的誕生開(kāi)始,功率電子技術(shù)以相當(dāng)迅猛的速度發(fā)展。近年來(lái)又取得了長(zhǎng)足的進(jìn)展,產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟(jì)及社會(huì)效益。從美國(guó)高能效經(jīng)濟(jì)委員會(huì)(ACEE)出版的一份報(bào)告可以看到,到2030年,受益于采用半導(dǎo)體技術(shù)而獲得的更高能效,可以使美國(guó)的經(jīng)濟(jì)規(guī)模擴(kuò)大70%以上,與此同時(shí),使用的電能卻將減少11%。作為高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商,安森美半導(dǎo)體一直專注于超低損耗MOSFET/IGBT、智能電源IC及集成功率模塊等方面的研發(fā)和創(chuàng)新,而且取得了長(zhǎng)足的進(jìn)展。
2011-07-27
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大功率弧焊逆變電源的IGBT保護(hù)技術(shù)
本文通過(guò)分析IGBT的結(jié)構(gòu)及其安全工作區(qū),解釋了在實(shí)際應(yīng)用中可能造成其損壞的原因,并利用硬件電路結(jié)合單片機(jī)的控制程序?qū)『改孀冸娫吹?span id="55lziwu" class='red'>IGBT采取相應(yīng)措施進(jìn)行保護(hù),從而確保了IGBT安全可靠的工作。
2011-07-15
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新應(yīng)用帶動(dòng)IGBT革新
前些年消費(fèi)電子和工業(yè)控制是推動(dòng)IGBT市場(chǎng)快速發(fā)展的兩架馬車,中小功率IGBT大放異彩。如今在新能源汽車、高鐵、新能源等新興應(yīng)用的“提攜”下,大功率IGBT迎來(lái)了新的春天,而這些應(yīng)用帶來(lái)新的課題,與之相應(yīng)的是革新的永不止步。
2011-07-11
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Diodes推出減少 IGBT 開(kāi)關(guān)損耗的40V 閘極驅(qū)動(dòng)器
Diodes 公司推出專為開(kāi)關(guān)高功率 IGBT 設(shè)計(jì)的 ZXGD3006E6 閘極驅(qū)動(dòng)器(gate driver) ,有助于提高太陽(yáng)能逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換效率。
2011-07-08
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IGBT及其子器件的四種失效模式
本文通過(guò)案例和實(shí)驗(yàn),概述了四種IGBT及其子器件的失效模式:MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護(hù)用高壓npn管的硅熔融。
2011-07-07
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IGBT的四大保護(hù)措施
在中大功率的開(kāi)關(guān)電源裝置中,IGBT由于其控制驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、工作頻率較高、容量較大的特點(diǎn)。本文通過(guò)對(duì)IGBT損壞機(jī)理的分析,根據(jù)其損壞的原因,提供柵極保護(hù)、過(guò)壓、過(guò)流、過(guò)熱四大有效的保護(hù)措施,以保證IGBT安全可靠工作。
2011-07-07
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影響IGBT驅(qū)動(dòng)電路性能參數(shù)的因素分析
在硬開(kāi)關(guān)橋式電路中,功率器件IGBT能否正確可靠地使用起著至關(guān)重要的作用。驅(qū)動(dòng)電路就是將控制電路輸出的PWM信號(hào)進(jìn)行功率放大,以滿足驅(qū)動(dòng)IGBT的要求,所以,驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的是否合理直接關(guān)系到IGBT的安全、可靠使用。為了確保驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的合理性,使用時(shí)必須分析驅(qū)動(dòng)電路中的參數(shù)。
2011-06-29
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