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ADI公司總裁兼首席執(zhí)行官Vincent Roche：重思、重構(gòu)與重升
2020，在邁入新的十年之際，我們遭遇了一次史無前例的事件。新冠肺炎疫情給人們的生活帶來了極大的影響，對地方經(jīng)濟(jì)和我們行業(yè)造成的影響尚不可知，但由疫情催生的變革卻業(yè)已顯現(xiàn)。
2020-12-08
ADI 總裁兼首席執(zhí)行官 重思 重構(gòu) 重升
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電源濾波器的組成及衡量參數(shù)
隨著電氣設(shè)備應(yīng)用的日益廣泛，電子設(shè)備產(chǎn)生的電磁噪聲也越來越嚴(yán)重，干擾了電子設(shè)備的正常工作，特別是對一些低功耗的便攜式設(shè)備更是如此。
2020-12-08
電源濾波器 衡量參數(shù)
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低效率電機(jī)也有可能節(jié)電嗎？其實(shí)，這是偽命題
三相交流異步電動(dòng)機(jī)的效率越高，其轉(zhuǎn)差率越小。也即在額定頻率與電壓下，相同負(fù)載的轉(zhuǎn)速越高。對于某些功率與轉(zhuǎn)速成正比，甚至成高次方比的負(fù)載來說，也就意味著電動(dòng)機(jī)的輸出功率的提高。反過來說，低效率電動(dòng)機(jī)因其轉(zhuǎn)差率的增大而使負(fù)載轉(zhuǎn)速下降，就可使電動(dòng)機(jī)的輸出功率減少，從而達(dá)到節(jié)電目的。...
2020-12-08
低效率電機(jī) 節(jié)電
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關(guān)于混合信號接地，這有幾個(gè)重要知識(shí)喲
大多數(shù)ADC、DAC和其他混合信號器件數(shù)據(jù)手冊是針對單個(gè)PCB討論接地，通常是制造商自己的評估板。將這些原理應(yīng)用于多卡或多ADC/DAC系統(tǒng)時(shí)，就會(huì)讓人感覺困惑茫然。通常建議將PCB接地層分為模擬層和數(shù)字層，并將轉(zhuǎn)換器的 AGND 和 DGND 引腳連接在一起，并且在同一點(diǎn)連接模擬接地層和數(shù)字接地層，如圖 1...
2020-12-08
混合信號 接地
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利用自動(dòng)主機(jī)反向喚醒技術(shù)節(jié)約蓄電池能量
越來越多的電動(dòng)汽車，需要實(shí)現(xiàn)最高水平的功能安全與高精度電池監(jiān)測。為了提高電池監(jiān)測的準(zhǔn)確性，車輛的電池管理系統(tǒng)必須有效地實(shí)時(shí)工作，以監(jiān)測內(nèi)部單個(gè)電池的性能。
2020-12-07
自動(dòng)主機(jī) 喚醒技術(shù) 蓄電池能量
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穩(wěn)壓器在空載的情況下能否穩(wěn)定工作？
作為一名應(yīng)用工程師，經(jīng)常被問及有關(guān)穩(wěn)壓器空載工作的問題。大多數(shù)現(xiàn)代 LDO 和開關(guān)穩(wěn)壓器均能在空載的情況下穩(wěn)定工作，那么，人們?yōu)槭裁催€要再三詢問呢？
2020-12-03
穩(wěn)壓器 空載
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解除車企高質(zhì)量發(fā)展“后顧之憂”，打造車載電子系統(tǒng)創(chuàng)新存儲(chǔ)解決方案
前不久，國務(wù)院辦公廳印發(fā)《新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃（2021－2035年）》明確了對新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈多領(lǐng)域的鼓勵(lì)支持，展示出一個(gè)非常積極的信號：此后國內(nèi)新能源汽車的發(fā)展方向?qū)⒏采w全產(chǎn)業(yè)鏈、全場景并向能源的多元化發(fā)展?？梢哉f，新能源汽車既是全球汽車產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級、綠色發(fā)展的主要方向，也是我...
2020-12-03
車載電子系統(tǒng) 存儲(chǔ) 解決方案
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安森美連續(xù)第三年被納入道瓊斯可持續(xù)發(fā)展指數(shù)
2020年12月2日 — 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON），已被納入道瓊斯可持續(xù)發(fā)展指數(shù) (DJSI) 北美指數(shù)，以表彰具有可持續(xù)發(fā)展業(yè)務(wù)實(shí)踐的公司。這是安森美半導(dǎo)體連續(xù)第三年被納入該指數(shù)。
2020-12-02
安森美半導(dǎo)體 道瓊斯可持續(xù)發(fā)展指數(shù)
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增強(qiáng)模式NMOS晶體管用作電流鏡
理論上，N型N型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)電流鏡的工作原理與我們在2020年8月份學(xué)生專區(qū)文章中分析的雙極性結(jié)型晶體管(BJT)電流鏡相同。兩個(gè)具有相同柵源電壓(VGS)的相同晶體管將有相同的漏極電流ID。第二晶體管M2中的電流實(shí)際上是第一晶體管M1中電流的鏡像。
2020-12-02
NMOS晶體管 電流鏡
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