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詳解MOSFET與IGBT的本質(zhì)區(qū)別
本文將對(duì)一些參數(shù)進(jìn)行探討，如硬開關(guān)和軟開關(guān)ZVS (零電壓轉(zhuǎn)換) 拓?fù)渲械拈_關(guān)損耗，并對(duì)電路和器件特性相關(guān)的三個(gè)主要功率開關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復(fù)特性是決定MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通開關(guān)損耗的主要因素，討論二極管恢復(fù)性能對(duì)于硬開關(guān)拓?fù)涞挠绊憽?/p>
2018-07-13
MOSFET IGBT 開關(guān)電源
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簡(jiǎn)單電路讓數(shù)字電源控制器與模擬控制兼容
最近，超大規(guī)模集成 (VLSI) 技術(shù)的發(fā)展擴(kuò)寬了數(shù)字控制應(yīng)用范圍，尤其是在電源電子元件方面的應(yīng)用。數(shù)字控制IC具有多種優(yōu)勢(shì)，比如裸片尺寸更小、無源元件數(shù)量更少、成本更低。另外，數(shù)字控制可利用電源管理總線 (PMBus?) 來完成系統(tǒng)配置；高級(jí)控制算法能改善性能；可編程性則可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用優(yōu)化。
2018-07-11
數(shù)字電源 電源控制器 模擬控制
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【干貨】你想知道的PD移動(dòng)電源知識(shí)都在這里！
USB-IF推廣PD的目的是統(tǒng)一快速充電協(xié)議，從市場(chǎng)的變化來看，也正在朝這個(gè)方向發(fā)展，高通QC4.0協(xié)議和MTK3.0協(xié)議都采用了PD3.0的PHY層設(shè)計(jì)。不過可以預(yù)見，從多協(xié)議并存到統(tǒng)一至少還需要2-3年時(shí)間，在此期間，多協(xié)議仍然是配件市場(chǎng)的發(fā)展主流，而在眾多協(xié)議之中，PD協(xié)議將會(huì)是客戶的硬性指標(biāo)。
2018-07-11
PD移動(dòng)電源 通信信號(hào)
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深度解析LED驅(qū)動(dòng)電源中的電容降壓原理
就目前國內(nèi)的LED驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)趨勢(shì)而言，采用電容降壓原理來完成驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的產(chǎn)品，已經(jīng)逐漸在市場(chǎng)上立穩(wěn)腳跟。采用這種設(shè)計(jì)的LED電源產(chǎn)品，均有較好的穩(wěn)定性，且成本耗費(fèi)較低。在今天的文章中，我們將會(huì)就LED驅(qū)動(dòng)電源中的電容降壓原理展開簡(jiǎn)要的分析和介紹。
2018-07-10
LED驅(qū)動(dòng)電源 電容降壓
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開關(guān)電源EMC設(shè)計(jì)中電容特性的分析
許多電子設(shè)計(jì)者都知道濾波電容在電源中起的作用，但在開關(guān)電源輸出端用的濾波電容上，與工頻電路中選用的濾波電容并不一樣，在工頻電路中用作濾波的普通電解電容器，其上的脈動(dòng)電壓頻率僅有100 赫茲，充放電時(shí)間是毫秒數(shù)量級(jí)，為獲得較小的脈動(dòng)系數(shù)，需要的電容量高達(dá)數(shù)十萬微法，因而一般低頻用普...
2018-07-07
開關(guān)電源 EMC設(shè)計(jì) 電容器
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解析最新關(guān)于全波橋式整流器的設(shè)計(jì)方案
大多數(shù)電子元器件都需要一個(gè)來自AC電力線的輸入電源。對(duì)于電壓穩(wěn)壓器、開關(guān)模式電源和其它下游電子組件來說，一個(gè)全橋或半橋二極管整流器器件對(duì)正弦AC電壓波形進(jìn)行整流，并將其轉(zhuǎn)換為一個(gè)DC電壓。
2018-07-06
二極管 MOSFET 整流器
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耿氏二極管波導(dǎo)振蕩器
微波振蕩器用于上至移動(dòng)電話及GPS導(dǎo)航系統(tǒng)，下至無線電和測(cè)試設(shè)備的各種領(lǐng)域。振蕩器的目的在于通過各種方式生成具有特定頻率的連續(xù)諧波輸出。振蕩器一般由有源器件（如晶體管，二極管或微波管）和用于確定頻率的無源諧振元件（見表1）組成。在射頻振蕩器（RFO）這一復(fù)雜領(lǐng)域中，固態(tài)振蕩器因其輕量...
2018-07-03
耿氏二極管 GPS導(dǎo)航 振蕩器
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“網(wǎng)紅”SiC/GaN 功率開關(guān)，告訴你一個(gè)正確的關(guān)注姿勢(shì)
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關(guān)將會(huì)給方方面面帶來巨大進(jìn)步，從新一代再生電力的大幅增加到電動(dòng)汽車市場(chǎng)的迅速增長(zhǎng)。其巨大的優(yōu)勢(shì)——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現(xiàn)更緊湊、更具成本效益的功率應(yīng)用。為了獲得所有這些優(yōu)勢(shì)，必須設(shè)計(jì)更高性能的開關(guān)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。
2018-07-03
SiC/GaN 功率開關(guān) ADI
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開關(guān)電源CLC紋波抑制電路特性分析
在便攜式儀器中，只能使用電池為系統(tǒng)供電。通常電池電壓比較低，系統(tǒng)中經(jīng)常需要使用小功率開關(guān)電源電路對(duì)低電壓進(jìn)行電壓變換，滿足系統(tǒng)中不同功能模塊的需求。然而，使用開關(guān)電源必將引入紋波噪聲，如何降低該紋波噪聲成為系統(tǒng)設(shè)計(jì)的一個(gè)重要問題。
2018-07-02
開關(guān)電源 CLC 紋波抑制 電路特性
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