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華潤(rùn)微總裁李虹：中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)下滑趨勢(shì)有到底跡象！
6月17日，在廣州南沙召開(kāi)的第二屆中國(guó)?南沙國(guó)際集成電路產(chǎn)業(yè)論壇（2023 IC NANSHA）上，國(guó)內(nèi)IDM大廠(chǎng)華潤(rùn)微（SH688396）總裁李虹在演講中表示，中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模在過(guò)去的一年當(dāng)中，增速弱于全球，呈現(xiàn)周期性衰退，但下滑趨勢(shì)有到底跡象。
2023-07-24
華潤(rùn)微 中國(guó)半導(dǎo)體 市場(chǎng)下滑
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一個(gè)簡(jiǎn)單的無(wú)變壓器1．5V DC電源電路
本文介紹了一個(gè)簡(jiǎn)單的無(wú)變壓器 1.5V DC電源電路，可用于直接從市電為掛鐘供電，并且還可以保持備用電池充滿(mǎn)電，即使在市電故障期間也能實(shí)現(xiàn)時(shí)鐘的不間斷運(yùn)行。
2023-07-22
無(wú)變壓器 DC電源電路
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工程師必須知道的大電流單通道柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)技巧
NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，內(nèi)置電流隔離功能，用于在高功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性。其特性包括：互補(bǔ)輸入（IN+ 和 IN-），開(kāi)漏故障（1686908889869977.png）和就緒 (RDY) 輸出，復(fù)位或清除故障功能（1686908875512772.png），有源米勒箝位 (CLAMP)，去飽和保護(hù) (DESAT)，去飽和...
2023-07-21
柵極驅(qū)動(dòng)器 設(shè)計(jì)技巧
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如何高效完成大電流單通道柵極驅(qū)動(dòng)器電路設(shè)計(jì)？
NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，內(nèi)置電流隔離功能，用于在高功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性。上篇中我們介紹了NCD(V)5700x的輸入(IN)和輸出(OUT)信號(hào)、輸入偏置電源(VDD1)、輸出正負(fù)偏置電源(VDD2和VEE2)、功耗(PD)和結(jié)溫(TJ)、欠壓閉鎖(UVLO)和就緒(RDY)和去飽和(DESAT)保護(hù)和軟關(guān)斷(ST...
2023-07-21
柵極驅(qū)動(dòng)器 電路設(shè)計(jì)
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使用高壓電池的電動(dòng)汽車(chē)安全性如何？
如今，電動(dòng)汽車(chē)上使用的高壓電池都提供了最大的安全性和使用壽命。如果您還在因?yàn)閾?dān)心電池的安全性而猶豫是否將燃油動(dòng)力汽車(chē)換成電動(dòng)汽車(chē) (EV)，那就盡管放心！據(jù)多家媒體的報(bào)道，很多人都非常關(guān)注電動(dòng)汽車(chē)及其高壓電池的危險(xiǎn)性。其實(shí)高壓電池在正常的操作條件下使用是非常安全的，出現(xiàn)的問(wèn)題也相對(duì)...
2023-07-20
高壓電池 電動(dòng)汽車(chē) 安全 電池
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深度剖析IGBT柵極驅(qū)動(dòng)注意事項(xiàng)
IGBT晶體管的結(jié)構(gòu)要比 MOSFET 或雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 復(fù)雜得多。它結(jié)合了這兩種器件的特點(diǎn)，并且有三個(gè)端子：一個(gè)柵極、一個(gè)集電極和一個(gè)發(fā)射極。就柵極驅(qū)動(dòng)而言，該器件的行為類(lèi)似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發(fā)射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。
2023-07-20
IGBT 柵極驅(qū)動(dòng) 注意事項(xiàng)
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VCC（電源）和 GND（地）之間電容的作用
電源與地之間接電容的原因有兩個(gè)作用，儲(chǔ)能和旁路儲(chǔ)能：電路的耗電有時(shí)候大，有時(shí)候小，當(dāng)耗電突然增大的時(shí)候如果沒(méi)有電容，電源電壓會(huì)被拉低，產(chǎn)生噪聲，振鈴，嚴(yán)重會(huì)導(dǎo)致 CPU 重啟，這時(shí)候大容量的電容可以暫時(shí)把儲(chǔ)存的電能釋放出來(lái)，穩(wěn)定電源電壓，就像河流和水庫(kù)的關(guān)系旁路：電路電流很多時(shí)候有...
2023-07-19
VCC GND 電容
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具有更高效率與優(yōu)勢(shì)的碳化硅技術(shù)
碳化硅（SiC）技術(shù)具有比傳統(tǒng)的硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等技術(shù)具有更多優(yōu)勢(shì)，包括更高的開(kāi)關(guān)頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進(jìn)而可以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、可靠性和效率。本文將為您介紹SiC的發(fā)展趨勢(shì)與在儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）上的應(yīng)用，以及由Wolfspeed推出的S...
2023-07-19
碳化硅 發(fā)展趨勢(shì) 儲(chǔ)能系統(tǒng)
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PFC電路：死區(qū)時(shí)間理想值的考量
由于該電路是進(jìn)行同步整流工作的電路，所以我們通過(guò)仿真來(lái)探討高邊（HS）和低邊（LS）SiC MOSFET SCT2450KE的死區(qū)時(shí)間理想值，即不直通的最短時(shí)間。死區(qū)時(shí)間可以通過(guò)仿真工具的PWM控制器參數(shù)TD1（HS）和TD2（LS）來(lái)分別設(shè)置。
2023-07-18
PFC電路 死區(qū)時(shí)間 理想值
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