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西門子推出新型平板電源SITOP Direct Mount
西門子工業(yè)自動化集團日前推出的PSU100D電源，進一步豐富了Sitop電源家族系列產品線。新產品為高性價比平板單相電源，產品使用螺釘安裝，無需導軌。堅固的鋁合金外殼具有IP20防護等級，所需安裝空間極小，可靈活安裝在不同位置。該款產品能夠滿足客戶對電源的所有基本要求，尤其適合安裝在機器設備...
2011-10-12
西門子 平板電源 SITOP Direct Mount
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TCD0806B-350-2P:TDK-EPC薄膜共模濾波器新增抑制差模噪聲功能
TDK株式會社集團下屬子公司TDK-EPC開發(fā)出業(yè)內首創(chuàng)的可同時實現(xiàn)抑制高速差分傳輸過程中產生的共模噪聲及GSM頻段的差模噪聲功能的薄膜共模濾波器（TCD0806B-350-2P），并從2011年9月開始量產。
2011-10-12
射頻 濾波器 熱量 放大器
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Vishay的SiR662DP功率MOSFET獲《今日電子》Top10 DC/DC電源產品獎
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET?功率MOSFET被《今日電子》雜志評為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產品獎的獲獎產品。
2011-10-11
SiR662DP Vishay 功率MOSFET 電源產品
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開關電源的干擾分析及其抑制措施
開關電源本身產生的干擾直接危害著電子設備的正常工作抑制開關電源本身的電磁噪聲．是開發(fā)和設計開關電源的一個重要課題。簡要地對開關電源電磁干擾產生、傳播的機理進行了介紹，總結了幾種主要的抑制開關電源電磁干擾產生及傳播的方法。
2011-10-11
開關電源 干擾 抑制
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三相IGBT全橋隔離驅動電源設計
本文針對10 kW三相IGBT全橋變換器設計了一種隔離驅動電源，提供4路相互隔離的輸出，每路輸出均提供+15 V／-9 V電源。電源功率較小，考慮成本和效率，采用單端反激式結構。
2011-10-11
IGBT 全橋隔離 驅動電源 隔離驅動電源 變換器
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高壓功率VDMOSFET的設計與研制
隨著現(xiàn)代工藝水平的提高與新技術的開發(fā)完善，功率VDMOSFET設計研制朝著高壓、高頻、大電流方向發(fā)展，成為目前新型電力電子器件研究的重點。本文設計了漏源擊穿電壓為500 V，通態(tài)電流為8 A，導通電阻小于O．85 Ω的功率VDMOSFET器件，并通過工藝仿真軟件TSUPREM-4和器件仿真軟件MEDICI進行聯(lián)合優(yōu)化仿...
2011-10-11
VDMOSFET 高壓功率MOS管 MOSFET
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適用于各種類型硬開關功率轉換器的電能回收電路
本文論述一個新穎的簡單的適用于各種類型硬開關功率轉換器的電能回收電路，這個電路只需使用幾個元器件：一個微型線圈、兩個耦合輔助線圈和兩個優(yōu)化的PN二極管。而且，這個電路完全兼容任何一種PWM控制器。
2011-10-11
功率因數(shù)校正 BC2 能量回收
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2015年平板貢獻半導體達200億美元
國際研調機構Gartner(顧能)近日舉辦半導體全球巡回論壇。半導體產業(yè)首席分析師李輔邦表示，平板電腦未來5年的平均年復合成長率達77%，并估計到2015年，平板電腦貢獻半導體業(yè)的營收將達200億美元。另外，他指出，ARM是智慧型手機和平板電腦崛起的最大贏家，估計未來5年仍能守穩(wěn)80%市占率。
2011-10-11
ARM 平板 平板電腦 半導體業(yè)
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高性能氮化鎵晶體管研制成功
據(jù)悉，法國和瑞士科學家首次使用氮化鎵在（100）-硅（晶體取向為100）基座上，成功制造出了性能優(yōu)異的高電子遷徙率晶體管（HEMTs）?？茖W家可據(jù)此研制出兼具CMOS芯片的計算能力和氮化鎵晶體管大功率容量的混合電子元件，以獲得更小更快、能耗更低的電子設備。
2011-10-11
氮化鎵晶體管 晶體管 電子元件
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