【導(dǎo)讀】作為電力電子系統(tǒng)中的核心功率半導(dǎo)體器件，IGBT的性能與可靠性直接決定了系統(tǒng)的運行效率、承載能力和安全穩(wěn)定性。從其P-N-P-N交替層的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)出發(fā)，經(jīng)過結(jié)構(gòu)優(yōu)化后的IGBT在降低損耗、提升功率密度方面實現(xiàn)了關(guān)鍵突破。本文將圍繞IGBT的核心結(jié)構(gòu)特性展開，依次深入探討損耗計算的核心方法、大功率場景下的并聯(lián)設(shè)計要點，以及保障系統(tǒng)安全運行的可靠性測試體系，為理解IGBT的技術(shù)原理與工程應(yīng)用提供全面且關(guān)鍵的指引。
本文將深入解讀器件結(jié)構(gòu)、損耗計算、并聯(lián)設(shè)計、可靠性測試等，帶大家一站式搞懂 IGBT 的關(guān)鍵知識點。
IGBT器件結(jié)構(gòu)
IGBT 是由 4 個交替層 (P-N-P-N) 組成的功率半導(dǎo)體晶體管，通過施加于金屬氧化物半導(dǎo)體 (MOS) 柵極的電壓進行控制。這一基本結(jié)構(gòu)經(jīng)過逐漸調(diào)整和優(yōu)化后，可降低開關(guān)損耗，且器件厚度更薄。安森美（onsemi）推出的 IGBT 將溝槽柵與場截止結(jié)構(gòu)相結(jié)合，旨在抑制固有的寄生 NPN 行為，該方法有助于降低器件的飽和電壓和導(dǎo)通電阻，從而提升整體功率密度。
圖 1：溝槽場截止 IGBT 結(jié)構(gòu)
IGBT損耗計算
想要讓 IGBT 在系統(tǒng)中高效運行，精準(zhǔn)計算損耗是關(guān)鍵！IGBT的損耗可以分解為導(dǎo)通損耗和開關(guān)（開通和關(guān)斷）損耗，而二極管損耗包括導(dǎo)通和關(guān)斷損耗。準(zhǔn)確測量這些損耗通常需要使用示波器，通過電壓和電流探針監(jiān)視器件運行期間的波形。測量能量需要用到數(shù)學(xué)函數(shù)，確定一個開關(guān)周期的總能量后，將其除以開關(guān)周期時間便可得到功耗。
IGBT并聯(lián)設(shè)計
面對數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的超大負(fù)載，單一 IGBT 器件往往難以勝任，此時 “并聯(lián)設(shè)計” 就成了大功率系統(tǒng)的核心解決方案。并聯(lián)器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這種設(shè)計不僅能獲得更高的額定電流、改善散熱，還可實現(xiàn)系統(tǒng)冗余。需注意的是，部件之間的工藝變化以及布局變化，會影響并聯(lián)器件的靜態(tài)和動態(tài)電流分配。系統(tǒng)設(shè)計工程師需要了解這些，才能設(shè)計出可靠的系統(tǒng)。并因此系統(tǒng)設(shè)計工程師需重點考慮這些要點：靜態(tài)變化、動態(tài)變化、熱系數(shù)、柵極電阻、經(jīng)驗數(shù)據(jù)等。
IGBT可靠性
作為電力電子系統(tǒng)的 “核心器件”，IGBT 的可靠性對于保障整個系統(tǒng)的運行安全非常重要。IGBT需要經(jīng)過一系列廣泛的可靠性測試以驗證一致性，這些測試旨在加速實際應(yīng)用中遇到的故障機制，從而確保在“真實世界”應(yīng)用中獲得令人滿意的可靠性能。
IGBT常規(guī)進行的可靠性測試包括：高溫反向偏置 (HTRB)、高溫柵極偏置 (HTGB)、高溫儲存壽命 (HTSL) 測試、高濕高溫反向偏置 (H3TRB)、無偏高加速壓力測試 (UHAST)、間歇性工作壽命 (IOL)、溫度循環(huán) (TC)、低溫儲存壽命 (LTSL) 測試、穩(wěn)態(tài)工作壽命 (SSOL) 測試等。
總結(jié)
IGBT的技術(shù)價值既體現(xiàn)在基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)優(yōu)化帶來的性能提升上，也離不開精準(zhǔn)的損耗計算、科學(xué)的并聯(lián)設(shè)計以及全面的可靠性測試作為支撐。從安森美溝槽柵與場截止結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新應(yīng)用，到大功率場景下并聯(lián)設(shè)計的核心考量，再到涵蓋高低溫、濕度、壽命等多維度的可靠性驗證，每一個環(huán)節(jié)都是保障IGBT在電力電子系統(tǒng)中高效、穩(wěn)定運行的關(guān)鍵。深入掌握這些核心要點，對于推動大功率電力電子系統(tǒng)的優(yōu)化設(shè)計與可靠應(yīng)用具有重要意義，也為相關(guān)工程實踐提供了堅實的技術(shù)參考。
