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IGBT 的工作原理是什么?
IGBT 的等效電路如圖1 所示。由圖1 可知,若在IGBT 的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓,則MOSFET 導(dǎo)通,這樣PNP 晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通;若IGBT 的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOSFET 截止,切斷PNP 晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。
2020-02-24
GBT 等效電路
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普通的5V電源電路，如何設(shè)計(jì)它的限流功能？
雖然這些78M05、LM2734以及ME2108型號的電源芯片設(shè)計(jì)方案，都能滿足5.0V的電壓輸出要求，但卻有一個(gè)功能無法提供，即無法控制電源的輸出電流大小，以達(dá)到限流的效果。
2020-02-24
5V電源電路 限流
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SiC 在電動車功率轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用
電動車 (EV) 的發(fā)貨量正在迅速增長，預(yù)計(jì) 21 世紀(jì) 20 年代還將加速發(fā)展。主要汽車制造商都已經(jīng)推出了電動車或已制定了推出計(jì)劃，它們還積極與伙伴合作，研究最佳的動力電子學(xué)方案，從而盡量延長單次充電行駛里程和降低成本。
2020-02-24
SiC 電動車 功率轉(zhuǎn)換
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電路設(shè)計(jì)中如何防止靜電放電？
我們的手都曾有過靜電放電(ESD)的體驗(yàn)，即使只是從地毯上走過然后觸摸某些金屬部件也會在瞬間釋放積累起來的靜電。我們許多人都曾抱怨在實(shí)驗(yàn)室中使用導(dǎo)電毯、ESD靜電腕帶和其它要求來滿足工業(yè)ESD標(biāo)準(zhǔn)。我們中也有不少人曾經(jīng)因?yàn)榇中拇笠馐褂梦词鼙Ｗo(hù)的電路而損毀昂貴的電子元件。
2020-02-21
電路設(shè)計(jì) 靜電 放電
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開關(guān)電源控制環(huán)路設(shè)計(jì)，新手必看！
環(huán)路是一個(gè)相對復(fù)雜繁瑣的問題，設(shè)計(jì)只是讓初學(xué)者能找到一條途徑，不需要過多的經(jīng)驗(yàn)就能弄出一個(gè)還不錯(cuò)的環(huán)路，避免了初期的盲目嘗試和拼湊。當(dāng)然因?yàn)檫@個(gè)設(shè)計(jì)是停留在理論上的，一定要在實(shí)際的應(yīng)用環(huán)境電路中去驗(yàn)證，調(diào)試，修改，直至滿足電路指標(biāo)要求，避免紙上談兵。
2020-02-20
開關(guān)電源 控制環(huán)路
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一文全面了解三極管
這里講解三極管的發(fā)明史、核心結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu)示意圖、制造流程、結(jié)構(gòu)切面圖、工藝結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、電路符號、電流控制原理示意圖、基本電路等，讓大家全面了解三極管。
2020-02-20
三極管
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碳化硅MOS管圖文詳解
由SiC制作的MOSFET耐壓高，或者在同樣的耐壓要求下，MOSFET的尺寸就小，從而大大降低了MOS管的導(dǎo)通電阻和傳熱熱阻。使用SiC制作的MOSFET在近期在大功率、高電壓、高頻率應(yīng)用越來越廣泛。以下給大家以圖文的形式講解碳化硅MOS管長啥樣的？
2020-02-20
碳化硅 MOS管
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圖文講解三相整流電路的原理及計(jì)算，工程師們表示秒懂！
單向整流電路應(yīng)用在負(fù)載功率需求較小的場合，一般不超過1KW。而在機(jī)電產(chǎn)品中，有很多設(shè)備需要較大功率的直流供電電壓，這就要采用三相整流電路。比如電弧焊機(jī)，它使用直流電壓來實(shí)現(xiàn)金屬焊接，其輸出功率在幾千瓦~幾百千瓦，由于功率較大，一般采用三相整流電路來提供大功率直流電壓輸出。
2020-02-19
三相整流電路 電弧焊機(jī) 金屬焊接
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功率MOSFET損壞模式及分析
本文結(jié)合功率MOSFET管失效分析圖片不同的形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式，并說明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過程中，發(fā)生失效形態(tài)的差別，從而為失效是在關(guān)斷還是在開通過程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。
2020-02-18
功率MOSFET 過流 過壓 線性區(qū) 過電性應(yīng)力
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