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設(shè)計技巧:RF電路與天線的EMC設(shè)計
電磁干擾在電子系統(tǒng)與設(shè)備中無處不在,因此如何使電子系統(tǒng)與設(shè)備滿足電磁兼容(EMC)的要求是一項關(guān)鍵技術(shù)。隨著射頻和微波領(lǐng)域的高速發(fā)展,工程師們也越來越關(guān)注RF電路設(shè)計技巧…
2013-07-10
RF 電磁干擾 EMC 干擾 射頻
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很貴很脆弱?數(shù)字邏輯器件的保護該這樣做!
中間電源總線上輸入浪涌、在制造過程中混入水貨或假冒電容器……總是很容易使昂貴的新型數(shù)字處理器面臨過壓風(fēng)險,甚至使 FPGA、ASIC 或微處理器遭受永久性損壞或起火。不想遭遇這些損失?本文教你一個簡單的方法。
2013-07-05
數(shù)字邏輯器件保護 器件保護 電路保護
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如何使用數(shù)字隔離器簡化隔離系統(tǒng)設(shè)計
工業(yè)環(huán)境中的測量器件往往需要進行隔離以確保安全。利用數(shù)字隔離器,可以優(yōu)化隔離系統(tǒng)設(shè)計、降低功耗、保證系統(tǒng)性能,同時無需借助額外的設(shè)計裕量來補償缺失或不完整的器件規(guī)格。本文將介紹使用數(shù)字隔離器進行隔離測量儀器的設(shè)計。
2013-07-03
隔離 隔離器 隔離系統(tǒng) 數(shù)字隔離器
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SiC和GaN,新興功率器件如何選?
新興的SiC和GaN功率器件市場未來10年預(yù)計增長18倍,主要需求市場是電源、光伏逆變器和工業(yè)電機驅(qū)動。SiC肖特基二極管已經(jīng)有10年以上歷史,但SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT近年才出現(xiàn),GaN功率器件更是剛剛才在市場上出現(xiàn)。他們誰會成為未來新興功率器件市場的主角?我們現(xiàn)在應(yīng)該選用他們嗎?
2013-06-19
功率器件 SiC BJT SiC
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巧避兩大因素,延長CMOS使用壽命
對于模擬CMOS而言,有兩大主要危害,其一是靜電,其二是過壓。因此,要做好CMOS的保護,就需從這兩大主要因素入手,避免錯誤地使用CMOS,從而延長CMOS的使用壽命。本文將介紹該如何有效應(yīng)對這兩大危害。
2013-06-19
CMOS 電路 CMOS器件 靜電 過壓
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保護LED免受EOS損傷的兩大防護方案對比
LED 器件很容易受到EOS的損傷,這種損壞有時能夠直接擊壞器件造成失效。本文講到的兩種EOS防護方案,一是用TVS穩(wěn)壓管來進行保護,另一種則是采用PolyZen系列元器件,兩種方案孰優(yōu)孰劣?請看下文。
2013-06-18
EOS LED 電路保護 保護器件 PolyZen
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防止鋰離子電池組短路新方法
鋰離子電池存在短路風(fēng)險,而對于動力電池組而言,其多達幾百甚至上萬節(jié)的鋰離子電池更是大大增加了其發(fā)生短路的概率,而一旦短路將極易導(dǎo)致惡性事故的發(fā)生,因此做好鋰離子電池組短路保護十分重要且必要。
2013-06-07
電池 短路 鋰離子電池
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能降低成本的三端并聯(lián)穩(wěn)壓器
在電源變換器設(shè)計中往往使用價格較高的傳統(tǒng)運算放大器,而本文主要通過實例說明怎樣用一個較之廉價的三端并聯(lián)穩(wěn)壓器去實現(xiàn)同樣的功能。
2013-06-01
并聯(lián)穩(wěn)壓器 TL431 三端穩(wěn)壓器
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基于TE mini array 的ESD防護設(shè)計
IC的集成度越來越高,但唯獨 ESD 防護功能無法集成,卻變得更為敏感。因此對于IC的ESD防護也十分重要且必不可少。本文將講解基于TE的ESD靜電防護產(chǎn)品mini array在USB3.0及HDMI1.4接口的ESD防護設(shè)計。
2013-05-23
ESD TE 靜電防護 USB
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