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新型元器件應(yīng)用和系統(tǒng)測(cè)試技術(shù)應(yīng)對(duì)電磁兼容設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
在即將于4月9日在深圳會(huì)展中心牡丹廳舉行的第四屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)上，村田、太陽(yáng)誘電、3-test（蘇州泰思特）的專家將與聽(tīng)眾朋友們分享EMI和EMC的設(shè)計(jì)和測(cè)試難點(diǎn)和最新解決方案，此外，特邀嘉賓陶顯芳老師將分享降低EMI能量、提高EMC指標(biāo)的經(jīng)驗(yàn)。
2010-03-18
元器件 電磁兼容 研討會(huì) 村田 太陽(yáng)誘電 3-test EMI EMC
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2009全球被動(dòng)元件供應(yīng)商Top25排名出爐
市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)水清木華日前公布了2009年全球被動(dòng)元件供應(yīng)商營(yíng)業(yè)額排名。包括村田、TDK、EPCOS、太陽(yáng)誘電、三星電機(jī)、華新科、KEMET、國(guó)巨、KOA、風(fēng)華高科、宇陽(yáng)科技等多家知名公司順利躋身25強(qiáng)……
2010-03-18
元件 被動(dòng)元件
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密勒積極推動(dòng)焊接領(lǐng)域步入環(huán)保健康之路
作為國(guó)際知名的百年企業(yè)、測(cè)試以及電夾行業(yè)的佼佼者，密勒電氣自挺進(jìn)焊接領(lǐng)域，于今年重磅出擊，創(chuàng)新性地提出“環(huán)保焊接、健康焊接”的潮流概念。
2010-03-17
密勒 焊接 環(huán)保 無(wú)鉛焊接 RoHS WEEE HJNEWS
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REACH法規(guī)新增15種SVHC物質(zhì)
2009年12月7日，ECHA成員國(guó)委員會(huì)達(dá)成一致意見(jiàn)，將另外15種物質(zhì)列入REACH高度關(guān)注物質(zhì)（SVHC)候選清單。預(yù)計(jì)ECHA將在2010年1月份正式采納此決定，并將這15種物質(zhì)正式列入SVHC候選清單，屆時(shí)SVHC候選清單將增至30種物質(zhì)。
2010-03-17
REACH 法規(guī) 15種 SVHC物質(zhì) 測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)
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LED路燈是否應(yīng)該廣泛推廣成熱話題
東莞國(guó)際會(huì)展大酒店舉行的“2010年中國(guó)道路照明論壇”會(huì)議上,記者發(fā)現(xiàn),大約有80%的演講報(bào)告與LED路燈有關(guān)。2010年“十城萬(wàn)盞”工作也進(jìn)入了重要的實(shí)施階段,21個(gè)試點(diǎn)城市之外的地方政府仍然十分積極的申請(qǐng)加入試點(diǎn)城市……
2010-03-17
LED LED路燈 道路照明
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上海光宇睿芯：打造本土分立器件巨頭
上海光宇睿芯微電子有限公司（Sino-IC）日前在深圳舉行了新產(chǎn)品發(fā)布會(huì)，除了發(fā)布了一系列新的產(chǎn)品線，還介紹了公司產(chǎn)品市場(chǎng)策略的變化。Sino-IC總裁劉健朝透露：“在2009年，我們還是一家以過(guò)壓保護(hù)器件為主的廠商，從今年起我們將產(chǎn)品線擴(kuò)展到各種分立器件，我們的最終目標(biāo)是打造成像On Semi、Visha...
2010-03-17
Sino-IC LED 傳感器
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電子信息產(chǎn)業(yè)：加快調(diào)整 搶占高端
電子信息產(chǎn)業(yè)是受?chē)?guó)際金融危機(jī)影響較大的行業(yè)，通過(guò)貫徹落實(shí)產(chǎn)業(yè)調(diào)整振興規(guī)劃，正逐步復(fù)蘇，走向新的發(fā)展征程。溫家寶總理在政府工作報(bào)告中指出，大力發(fā)展信息網(wǎng)絡(luò)和高端制造業(yè)，加快物聯(lián)網(wǎng)的研發(fā)應(yīng)用，這些都為電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展指明了方向。
2010-03-17
電子信息業(yè) 結(jié)構(gòu) 軟件服務(wù)業(yè) 新興產(chǎn)業(yè)
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RS推出1200種三洋半導(dǎo)體產(chǎn)品
RS Components宣布，通過(guò)其在線目錄RS Online渠道推出三洋（SANYO）半導(dǎo)體公司的1200類半導(dǎo)體產(chǎn)品。
2010-03-16
RS 三洋半導(dǎo)體 MOSFET IGBT 晶體管
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更小巧、更輕便、更低溫——IR GaN功率器件帶動(dòng)功率技術(shù)革命
GaN技術(shù)平臺(tái)開(kāi)創(chuàng)行業(yè)先河，是IR研發(fā)部門(mén)基于IR專利的GaN-on-Si硅上氮化鎵異質(zhì)外延技術(shù)，經(jīng)過(guò)5年精心研究的成果。高生產(chǎn)量的150mm硅上氮化鎵外延以及相關(guān)的器件制造工藝，完全符合IR具備成本效益的硅制造設(shè)施，可為客戶提供世界級(jí)的商業(yè)可行的氮化鎵功率器件制造平臺(tái)。
2010-03-15
輕便 低溫 IR GaN 功率器件 革命
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