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基于脈沖寬度調(diào)制技術(shù)的太陽(yáng)能充電控制系統(tǒng)
在獨(dú)立太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)中，為了降低成本、提高效率和可靠性，既要使光伏電池輸出最大功率，又要使蓄電池正確充放電，同時(shí)還要最大限度地利用所發(fā)電能。在目前的光伏系統(tǒng)中，這三者的實(shí)現(xiàn)存在矛盾，通常只能兼顧一個(gè)方面，例如只追蹤光伏電池最大功率點(diǎn)將會(huì)放棄蓄電池的最佳充放電，從而限制了系統(tǒng)的...
2011-08-19
脈沖寬度調(diào)制 太陽(yáng)能 充電 蓄電池
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日本研制出“超離子”固態(tài)鋰電池
據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)日前報(bào)道，一個(gè)日本研究小組開(kāi)發(fā)出一種能像電解液一樣產(chǎn)生電流的固態(tài)電介質(zhì)，并用其制造出了固態(tài)鋰電池，其導(dǎo)電性可達(dá)到現(xiàn)有液態(tài)鋰離子電池的水平。研究人員表示，由于固體更緊密堅(jiān)固，這種高導(dǎo)電性的固態(tài)鋰電池能在更寬的溫度范圍下供電，抵抗物理?yè)p傷和高溫的能力更強(qiáng)。
2011-08-19
電動(dòng)汽車 鋰電池 新能源 動(dòng)力電池
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大功率全方位反射鏡發(fā)光二極管性能研究
目前大功率LED光提取效率比較低的一個(gè)重要原因是LED 襯底的厚度比較大，很大一部分有源區(qū)發(fā)射的光入射到襯底層被襯底和電極等材料吸收，從而大大降低光的提取效率，進(jìn)而影響出光，為了改善這一缺陷，近幾年利用全方位反射鏡 ( omnidirectional reflector，ODR) 將有源區(qū)發(fā)出的射向襯底的光反射出去...
2011-08-19
反射鏡 發(fā)光二極管 大功率LED 串聯(lián)電阻
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基于軟開(kāi)關(guān)的電子輻照高壓電源設(shè)計(jì)
在食品加工過(guò)程中采用電子輻照技術(shù)，可以提高食品的安全性。加速管作為離子束加速器件，在電子輻照工程裝置中是關(guān)鍵設(shè)備。為了滿足不同輻照物體的輻照計(jì)量要求，需要電子槍高壓電源可以連續(xù)可調(diào)。本文介紹一種實(shí)用化的具有良好特性的電子槍直流高壓電源的設(shè)計(jì)。
2011-08-19
高壓電源 軟開(kāi)關(guān) 電子輻照 電子槍
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晶體管也玩立體化 Intel Ivy Bridge前景樂(lè)觀
今年年初，Intel正式發(fā)布了SandyBridge架構(gòu)，從筆記本、臺(tái)式機(jī)到服務(wù)器都一應(yīng)俱全，幾個(gè)月內(nèi)SnB大潮就已經(jīng)席卷了整個(gè)市場(chǎng)。如今在桌面平臺(tái)方面，已經(jīng)更新到第二代Z68等芯片組了，推陳出新速度非常之快。
2011-08-18
Intel 晶體管 筆記本 臺(tái)式機(jī)
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高性能三元材料動(dòng)力鋰電池即將國(guó)產(chǎn)
近日，由上海卡耐新能源有限公司生產(chǎn)的高性能三元材料動(dòng)力鋰電池在北京亮相。據(jù)悉，該鋰電池是引進(jìn)日本技術(shù)生產(chǎn)的，將于今年年底投放國(guó)內(nèi)市場(chǎng)。
2011-08-18
卡耐新能源 鋰電池 新能源 動(dòng)力電池
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薄膜電池具成本優(yōu)勢(shì) 或搶占更多裝機(jī)份額
市場(chǎng)期待已久的光伏電價(jià)終于出臺(tái)，國(guó)家發(fā)改委8月1日下發(fā)通知，對(duì)非招標(biāo)太陽(yáng)能光伏發(fā)電項(xiàng)目實(shí)行全國(guó)統(tǒng)一的標(biāo)桿上網(wǎng)電價(jià)。但事實(shí)上，目前國(guó)內(nèi)光伏發(fā)電成本仍在1元以上，只有少數(shù)薄膜電池企業(yè)能承受1元/千瓦時(shí)以下的上網(wǎng)電價(jià)。有分析認(rèn)為，因?yàn)閮r(jià)格上的優(yōu)勢(shì)，所以可能對(duì)投資規(guī)模和成本較低的薄膜電池更...
2011-08-18
光伏電 太陽(yáng)能 電價(jià) 晶體硅電池
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SiB437EDKT：Vishay推出微型低導(dǎo)通電阻功率MOSFET用于便攜設(shè)備
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導(dǎo)通的此類器件。
2011-08-18
SiB437EDKT Vishay 功率MOSFET
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開(kāi)關(guān)電源測(cè)試方案
開(kāi)關(guān)電源因其效率高，體積小而被電子企業(yè)廣泛應(yīng)用，以下是自己在工作中總結(jié)出來(lái)的測(cè)試方法和測(cè)試項(xiàng)目，在電源設(shè)計(jì)時(shí)若能充分考慮到這些方面，那么其產(chǎn)品將會(huì)被越來(lái)越多的客戶所使用。
2011-08-18
開(kāi)關(guān) 電源測(cè)試 電壓 額定負(fù)載
- 機(jī)構(gòu)預(yù)警：DRAM價(jià)格壓力恐持續(xù)至2027年，存儲(chǔ)原廠加速擴(kuò)產(chǎn)供應(yīng)HBM
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